Freescale MRF8S18260HS

Отличный выбор! Freescale MRF8S18260HS — это высокомощный LDMOS-транзистор для приложений усиления в диапазоне частот от 1800 МГц до 2000 МГц, в первую очередь разработанный для финальных каскадов усиления базовых станций мобильной связи стандартов GSM, EDGE, UMTS (3G) и LTE (4G).

Вот подробное описание и технические характеристики.

Описание и ключевые особенности

MRF8S18260HS — это транзистор N-канального типа, изготовленный по передовой LDMOS (Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor) технологии от Freescale (ныне часть NXP Semiconductors). Эта технология обеспечивает высокую выходную мощность, хорошую линейность, высокий коэффициент усиления и отличную надежность.

Основное назначение: Усилители мощности в выходных каскадах (PA - Power Amplifier) базовых станций сотовой связи.

Ключевые особенности:

• Высокая мощность: Пиковая выходная мощность более 260 Вт в режиме усиления многотональных широкополосных сигналов (например, LTE).
• Высокий КПД: Оптимизирован для работы с цифровыми сигналами с высоким коэффициентом амплитудной модуляции (PAR), что позволяет снизить энергопотребление базовой станции.
• Широкая полоса пропускания: Покрывает ключевые частотные диапазоны 1800-2000 МГц (DCS-1800, PCS-1900, UMTS Band I, LTE Band 1, 2, 3, 4, 25, 34, 39 и другие).
• Внутренняя согласующая цепь: Транзистор имеет встроенные согласующие цепи на входе и выходе, что значительно упрощает проектирование ВЧ-тракта и уменьшает количество внешних компонентов.
• Повышенная надежность: Устойчив к высоким уровням КСВН (КСВ до 10:1 при любом фазовом угле), что критически важно для работы в реальных условиях.
• Поверхностный монтаж: Выполнен в корпусе Air-Cavity OFL (Over-Molded Flange-less), который обеспечивает эффективный отвод тепла и удобство монтажа на печатную плату.

Основные технические характеристики (Типовые условия, если не указано иное)

• Диапазон частот: 1800 – 2000 МГц
• Класс усиления: Класс AB (для линейного усиления сложных цифровых сигналов).
• Выходная мощность (Pout):
  • 260 Вт (пиковая) при работе с сигналом LTE 10 MHz, PAR=7.5 дБ @ 2000 МГц.
  • >300 Вт (пиковая) при работе с сигналом W-CDMA.
• Коэффициент усиления по мощности (Gps): 17.5 дБ (тип.) @ 2000 МГц, Pout=55 Вт ср. (LTE).
• КПД (Drain Efficiency): 48% (тип.) @ 2000 МГц, Pout=55 Вт ср. (LTE).
• Линейность (ACLR): Очень высокая, лучше -50 дБc для стандартов 3G/4G (зависит от схемы реализации).
• Напряжение питания (сток, VDD): 28 В (номинальное), 32 В (макс.).
• Ток покоя (Idq): 900 мА (тип., настраивается).
• Термическое сопротивление (RthJC): 0.3 °C/Вт (макс.), что указывает на excellent тепловые характеристики.
• КСВН на входе/выходе: Устойчив к рассогласованию до 10:1 при любом фазовом угле.
• Корпус: OFL-272R2 (Air Cavity, поверхностный монтаж, без фланца).
• Электрод: Затвор и исток имеют гальваническую развязку от теплоотвода (фланца), что упрощает конструкцию теплоотвода.

Парт-номера (Part Numbers) и аналоги

Производитель (Freescale/NXP) может использовать разные парт-номера для одного и того же кристалла в зависимости от упаковки, тестирования или маркетинговой линейки. Основные варианты:

• MRF8S18260HSR3 — Вероятно, наиболее распространенный номер для заказа, обозначающий поставку на катушке (tape & reel) для автоматического монтажа.
• MRF8S18260HS — Базовый номер модели.

Совместимые и конкурирующие модели (прямые аналоги)

Прямых полных аналогов с идентичными характеристиками от других производителей не существует, но есть функционально аналогичные и конкурирующие модели для того же сегмента рынка (высокомощные LDMOS для 1.8-2.0 ГГц). При замене необходима полная проверка схемы согласования и режимов смещения.

От того же производителя (NXP / Freescale):

• MRF8S18260H — Предыдущая или более ранняя версия, возможно, с незначительными отличиями в характеристиках или корпусе.
• MRF8S21140HS / MRF8S21140H — Модель на ~140 Вт для того же диапазона. Для применения, где требуется меньшая мощность.
• MRF7S21140H / MRF7S18140H — Модели из серии "7S", также для близких диапазонов и мощностей.
• AFT09MS015NT1 / AFT05MS015NT1 — Модели от NXP в другом форм-факторе (пластиковый корпус) для схожих применений.

От других производителей (конкуренты):

• Ampleon (ранее часть NXP, затем выделена):
  • BLF8G22LS-250PV / BLF8G20LS-250PV — Очень близкие конкуренты по мощности, частоте и технологии. Ampleon унаследовала многие наработки от NXP.
• Wolfspeed (Cree):
  • CGH31240F — Транзистор на основе технологии GaN-on-SiC. Предлагает более высокую плотность мощности и КПД, но обычно дороже и требует иных подходов к схемотехнике.
• Macom (ранее часть Nitronex):
  • MAGX-000035-650L00 — GaN-транзистор для схожих диапазонов.
• Qorvo (ранее TriQuint, RFMD):
  • TGA2578-FL — GaN-транзистор для широкополосных применений, включая диапазон 1.8-2.0 ГГц.

Важное примечание: Модели на основе GaN (нитрид галлия) становятся все более популярными для новых разработок благодаря более высокому КПД и широкой полосе, но LDMOS-транзисторы, такие как MRF8S18260HS, остаются "рабочими лошадками" в огромном парке существующих базовых станций и там, где важна оптимальная стоимость решения.

Рекомендация: Для замены в существующем оборудовании всегда предпочтительнее использовать оригинальную модель MRF8S18260HSR3. Для новых разработок стоит рассмотреть также новейшие GaN-решения от NXP, Ampleon, Wolfspeed и Qorvo, проведя сравнительный анализ по критериям цена/производительность/сроки поставки.