Freescale MRF7S27130HR3

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики и информация о совместимости для усилителя мощности Freescale/NXP MRF7S27130HR3.

Общее описание

MRF7S27130HR3 — это транзистор на основе технологии LDMOS (Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor), предназначенный для усиления мощности в диапазоне частот от 2300 до 2700 МГц. Это ключевой компонент в выходных каскадах передатчиков базовых станций беспроводной инфраструктуры, в частности для стандартов 4G LTE (Band 7, Band 38, Band 41) и 5G NR в этом частотном диапазоне.

Устройство поставляется в высокоэффективном керамическом фланцевом корпусе HV7, оптимизированном для обеспечения низкого теплового сопротивления и высокой надежности в условиях непрерывной работы (CW). Транзистор обладает внутренней согласующей цепью, что упрощает проектирование финального каскада усиления.

Ключевые технические характеристики

| Параметр | Значение | Примечание / Условия | | :--- | :--- | :--- | | Диапазон частот | 2300 - 2700 МГц | Оптимизирован для 2500-2700 МГц | | Класс работы | AB | Для линейного усиления с высокой эффективностью | | Выходная мощность (P3dB) | 130 Вт (минимум) | Точка 3 дБ компрессии | | Линейная выходная мощность (Pout) | 30 - 65 Вт | Зависит от стандарта сигнала (PAR) | | Коэффициент усиления (Gain) | 18.0 дБ (тип.) | При 2500 МГц, Pout=65W | | КПД (Drain Efficiency) | 50% (тип.) | При 2500 МГц, Pout=65W | | Напряжение питания (Vdd) | +28 В | Стандартное для стационарной аппаратуры | | Ток покоя (Idq) | 1100 мА (тип.) | Настраивается для требуемой линейности | | Тепловое сопротивление (RthJC) | 0.35 °C/Вт | От кристалла (junction) до корпуса | | Сопротивление "включено" (Rds(on)) | 0.03 Ом (тип.) | Характеристика ключевого режима | | Схема согласования | Внутренняя | Упрощает внешнюю цепь согласования | | Корпус | HV7 (Flange) | Керамический, с золотым покрытием выводов |

Важное примечание: Для достижения заявленных характеристик необходима правильная схема смещения (bias circuit), согласующие цепи на входе/выходе и эффективный теплоотвод. Рекомендуется строго следовать типовой схеме включения (Application Note) от производителя.

Парт-номера (Part Numbers) и аналоги

Производитель (NXP) может использовать несколько номеров для одного и того же кристалла в разных корпусах или с разной маркировкой. Прямым аналогом в другом корпусе является:

• MRF7S27130H — версия в корпусе HV7, но без суффикса "R3", который часто указывает на конкретную ревизию или упаковку (например, на ленте Reel 3).

Совместимые / Альтернативные модели от NXP (Freescale):

При поиске замены или аналога в том же частотном диапазоне и схожей мощности можно рассматривать следующие семейства и модели:

1. Прямые конкуренты в том же классе мощности:

   • MRF7S27140H (140 Вт) — модель с чуть более высокой выходной мощностью.
   • MRF7S26140H (140 Вт) — для диапазона 2600 МГц.
   • AFT27S310NR3 — более новая модель, часто позиционируемая как усовершенствованная замена с улучшенным КПД и линейностью.

2. Модели для схожих диапазонов (с проверкой даташита):

   • MRF7S21140H (2110-2170 МГц)
   • MRF7S19140H (1930-1995 МГц)
   • MRF7SVP11K35H (3400-3800 МГц) — для диапазона 3.5 ГГц (5G n78).

3. Аналоги от других производителей:

   • Ampleon (ранее часть NXP): BLF7G27LS-130P, BLF7G22LS-130P. Ampleon унаследовала многие линейки LDMOS для инфраструктуры.
   • Wolfspeed (Cree): CGH31240F (GaN HEMT) — транзистор на технологии нитрида галлия (GaN) с более высокой плотностью мощности и КПД, но требующий иной схемотехники.
   • MACOM: MAMF-011130 — аналогичный LDMOS-транзистор.
   • STMicroelectronics: Модели семейства PD57070 (хотя их портфолио в этом сегменте меньше).

Области применения

• Финальные каскады усиления (PA) базовых станций 4G LTE в диапазонах Band 7 (2500-2570 МГц DL), Band 38 (2570-2620 МГц), Band 41 (2496-2690 МГц).
• Активные антенные системы (AAS) и массивные MIMO (mMIMO) для раннего развертывания 5G NR в диапазонах n7, n38, n41.
• Повторители (ретрансляторы) и бустеры сигнала.
• Прочее радиооборудование, работающее в S-диапазоне (2.3-2.7 ГГц).

Важные предупреждения

1. Электростатическая чувствительность (ESD): Устройство относится к классу ESD1 (Чрезвычайно чувствительное). Требуются строжайшие меры предосторожности при работе (заземленные браслеты, антистатические поверхности, ионизаторы).
2. Теплоотвод: Корпус HV7 требует качественного монтажа на радиатор с идеально ровной поверхностью и использованием теплопроводящей пасты или прокладки. Неправильный тепловой режим — основная причина отказа.
3. Смещение: Требуется плавная, правильно спроектированная схема подачи напряжения смещения на затвор для установки тока покоя (Idq). Резкая подача напряжения может привести к мгновенному выходу из строя.
4. Согласование: Несогласованная нагрузка (антенна) или работа без нагрузки может вызвать пробой из-за отраженной мощности.

Для проектирования с использованием этого транзистора настоятельно рекомендуется обратиться к официальной документации NXP:

• Datasheet: MRF7S27130HR3
• Application Note: ANxxxx (например, по схемам смещения и согласования)
• Письмо о применении: How to Mount HV7 Transistors.