Freescale MRF6S21100H

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики, парт-номера и совместимые аналоги для мощного полевого транзистора Freescale (NXP) MRF6S21100H.

Общее описание

MRF6S21100H — это кремниевый N-канальный транзистор с вертикальной структурой (MOSFET), разработанный специально для использования в мощных усилителях радиочастотного (РЧ) сигнала. Этот компонент является ключевым элементом в выходных каскадах усилителей мощности, где требуется высокая линейность, выходная мощность и эффективность.

Основное назначение: Усиление сигналов в промышленных, научных и медицинских (ISM) приложениях, а также в системах мобильной связи. Ключевое применение:

• Выходные каскады усилителей для базовых станций сотовой связи (3G, 4G/LTE).
• Промышленные ВЧ-нагреватели и плазменные генераторы.
• Радио- и телевещательные передатчики (особенно для диапазонов VHF и UHF).
• Оборудование для авиационной и морской связи.

Производитель: Изначально разработан компанией Freescale Semiconductor. После приобретения Freescale компанией NXP Semiconductors в 2015 году, продукт полностью перешел под управление NXP. Поэтому официальным производителем сейчас является NXP.

Технические характеристики (кратко)

| Параметр | Значение | Примечание / Условия | | :--- | :--- | :--- | | Частотный диапазон | 1.8 - 600 МГц | Оптимизирован для работы в УКВ (VHF) и части УВЧ (UHF) диапазонов | | Класс усиления | AB, B | Предназначен для линейного усиления | | Выходная мощность (Pout) | 100 Вт | | | Коэффициент усиления (Gain) | 19.5 дБ | Тип., @ 30 МГц, Pout=100 Вт | | КПД (Drain Efficiency) | 65% | Тип., @ 30 МГц, Pout=100 Вт | | Рабочее напряжение (Vdd) | 50 В | Типичное напряжение питания | | Статический ток стока (Idq) | 150 мА | Типичное значение для настройки смещения | | Входная/Выходная емкость | Ciss: 205 пФ
Coss: 32 пФ
Crss: 2.2 пФ | @ Vdd = 50 В | | Сопротивление канала (Rds(on)) | 0.07 Ом | | | Тепловое сопротивление (RthJC) | 0.5 °C/Вт | Переход-корпус | | Корпус | Air Cavity CERAMIC 4L | Высококачественный керамический корпус с золотыми выводами для низких паразитных параметров | | Монтаж | Сквозное отверстие (Flange Mount) | Требует установки на радиатор с прижимным усилием ~40 Нм |

Примечание: Все электрические характеристики приведены для типовых условий и могут варьироваться в зависимости от рабочей точки и схемы согласования. Полные данные смотрите в официальном даташите.

Парт-номера и совместимые аналоги (Replacements)

Поскольку компонент снят с массового производства или переведен в статус "Not Recommended for New Designs" (NRND), часто требуется найти функционально совместимый аналог.

1. Прямые аналоги и парт-номера от NXP:

• MRF6S21100HS - Вероятно, вариант с другим типом упаковки или лотка (Tape & Reel).
• MRF6S21100HR6 - Модификация для поставки в корпусе (на радиаторе).

Важно: Все эти номера относятся к одной и той же базовой модели и являются ее вариациями.

2. Функционально совместимые аналоги от других производителей:

Вот список моделей от других ведущих производителей (в основном, от Ampleon, который был выделен из NXP), которые предлагают схожие или улучшенные характеристики и часто используются как прямая или усовершенствованная замена.

| Производитель | Модель | Мощность | Примечание | | :--- | :--- | :--- | :--- | | Ampleon | BLF6G20-100 | 100 Вт | Один из самых прямых и современных аналогов. Оптимизирован для 1.8-600 МГц. | | Ampleon | BLF6G21-100 | 100 Вт | Более новая версия с улучшенными характеристиками. | | Ampleon | BLF8G20LS-100 | 100 Вт | LDMOS транзистор, широко используется как замена. | | Wolfspeed (Cree) | CGH21100F | 100 Вт | Нитрид-галлиевый (GaN) транзистор. Предлагает более высокий КПД и широкую полосу пропускания, но требует переработки схемы. | | MACOM | MRA1003H | 100 Вт | Кремниевый LDMOS транзистор, аналог для схожих применений. | | STMicroelectronics | PD57070 | 100 Вт+ | Еще один вариант от крупного производителя. |

Важное замечание по замене: Перед заменой MRF6S21100H на аналог ОБЯЗАТЕЛЬНО необходимо:

1. Свериться с даташитом нового компонента.
2. Проверить цоколевку (pinout) и механические размеры.
3. Проверить схему согласования (input/output matching), так как для разных транзисторов, особенно при переходе с LDMOS на GaN, она кардинально отличается.
4. Проверить требования к цепи смещения (bias).

Наиболее безопасной и прямой заменой без кардинальной переделки платы обычно являются модели от Ampleon (BLF6G20-100, BLF6G21-100), так как эта компания унаследовала многие технологии Freescale/NXP.