Freescale MRF21030LR3

Конечно. Вот подробное описание транзистора Freescale MRF21030LR3, его технические характеристики, парт-номера и совместимые модели.

Общее Описание

Freescale MRF21030LR3 — это мощный RF N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET транзистор, предназначенный для использования в высокочастотных усилителях мощности в диапазоне УКВ и особенно УВЧ (Ультра Высоких Частот).

Ключевые особенности:

• Назначение: Выходной каскад усилителей мощности в профессиональных мобильных радиостанциях, ретрансляторах, базовых станциях и другом телекоммуникационном оборудовании.
• Технология: LDMOS (Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor). Эта технология обеспечивает высокую линейность, высокий коэффициент усиления и хорошую устойчивость к рассогласованию нагрузки (VSWR), что критически важно для надежности RF-оборудования.
• Корпус: Выполнен в керамином металло-керамическом корпусе с фланцем для эффективного отвода тепла. Имеет два вывода истоков для удобства монтажа и улучшенного теплоотвода.
• Класс работы: Предназначен для работы в линейном режиме (классы A, AB), что необходимо для усиления сигналов с сложными видами модуляции (например, в стандартах TETRA, APCO P25, DMR).

Технические характеристики (Technicial Specifications)

Приведены типовые/максимальные значения при типовых условиях работы (например, Vdd = 28V, Pout = 30 Вт, частота 230 МГц, если не указано иное).

| Параметр | Значение | Условия / Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Частотный диапазон | 30 - 1000 МГц | Оптимизирован для ~150-520 МГц | | Выходная мощность (Pout) | 30 Вт (пиковая) | | | Рабочее напряжение (Vdd) | 28 В | Номинальное напряжение питания | | Коэффициент усиления (Gain) | 17.5 дБ | f = 230 МГц, Pout = 30 Вт | | КПД (Drain Efficiency) | 40 % | f = 230 МГц, Pout = 30 Вт | | Линейность (3-я гармоника) | -30 дБ | f = 230 МГц, Pout = 30 Вт | | Напряжение пробоя (V(BR)DSS) | ≥ 65 В | Vgs = 0 V, Id = 1 мА | | Ток стока (Id) | 2.0 А (постоянный) | При Tch = 25°C | | Тепловое сопротивление (RthJC) | 1.8 °C/Вт | От перехода к корпусу | | Класс рабочей температуры | -55 °C ... +150 °C | Температура перехода (Junction) | | Схема включения | Общий исток | Требуется внешняя схема смещения |

Важно: Для достижения заявленных характеристик требуется точная настройка входной и выходной matching-цепи (согласующих цепей), а также правильная схема смещения. Монтаж на heatsink (радиатор) с качественным тепловым интерфейсом обязателен.

Парт-номера (Part Numbers) и Совместимые модели

После приобретения Freescale полупроводникового подразделения компанией NXP в 2015 году, нумерация многих компонентов была изменена. MRF21030LR3 является устаревшей (obsolete) частью, но имеет прямые современные аналоги.

Прямые аналоги и модернизированные версии (от NXP):

1. MRF21030LR3 — Оригинальный номер от Freescale (снят с производства, но может быть в наличии у дистрибьюторов).
2. MRF21030LR5 — Прямой аналог/замена от NXP. Характеристики идентичны или улучшены. Это основная современная замена.
3. A5T21030LR5 — Еще один вариант парт-номера от NXP для той же самой детали.

Рекомендуется к использованию: MRF21030LR5 или A5T21030LR5 как официальная замена от NXP.

Совместимые и похожие по характеристикам модели (от NXP):

Эти транзисторы имеют схожие значения мощности, напряжения и частотный диапазон и могут быть использованы в аналогичных схемах (часто с минимальными доработками):

• MRF21040LR5 — Усилитель на 40 Вт. Прямой "старший брат" с большей выходной мощностью.
• MRF21010LR5 — Усилитель на 10 Вт. Подходит для предварительных каскадов или менее мощных применений.
• BLF184XRS / BLF188XRU — Более современные и мощные модели LDMOS от NXP для схожих диапазонов. Требуют проверки схемы включения.

Производители аналогов:

Прямых 100% аналогов от других производителей с точно таким же корпусом и цоколевкой может не существовать. Однако, другие компании выпускают мощные LDMOS-транзисторы для УВЧ диапазона:

• Ampleon (бывшее подразделение RF Power NXP) — Является прямым наследником технологий.
• STMicroelectronics — Имеет линейку RF power транзисторов.
• Wolfspeed (Cree) — Предлагает решения на основе технологии GaN-SiC (более современные, но часто требующие пересмотра схемы).

Важно: При замене на аналог, даже от NXP (например, с LR3 на LR5), всегда необходимо сверяться с актуальным даташитом и проверять схему включения, так как могут быть незначительные отличия в паразитных емкостях или recommended operating conditions.