IXYS VVZ2412GO1

IXYS VVZ2412GO1 – это мощный N-канальный MOSFET транзистор, разработанный для высоковольтных и высокочастотных применений. Он широко используется в импульсных источниках питания, DC-DC преобразователях, инверторах и других силовых электронных устройствах.

Технические характеристики:

• Тип транзистора: N-канальный MOSFET
• Максимальное напряжение сток-исток (V_DS): 1200 В
• Максимальный ток стока (I_D): 24 А (при 25°C)
• Сопротивление сток-исток в открытом состоянии (R_DS(on)): 0.45 Ом (при V_GS = 15 В)
• Пороговое напряжение затвора (V_GS(th)): 4 В (типовое)
• Максимальное напряжение затвор-исток (V_GS): ±20 В
• Мощность рассеивания (P_D): 300 Вт (при 25°C)
• Температурный диапазон: от -55°C до +150°C
• Корпус: TO-247

Парт-номера и аналоги:

Прямые аналоги и совместимые модели:

• IXYS VVZ24N12
• IXYS IXFH24N120
• Infineon IPA60R190P7
• STMicroelectronics STW24N120K5
• Fairchild (ON Semiconductor) FCH47N60F

Применение:

• Импульсные блоки питания (SMPS)
• DC-DC преобразователи
• Инверторы и драйверы двигателей
• Высоковольтные коммутационные схемы

Этот транзистор отличается высокой надежностью и эффективностью, что делает его популярным в промышленной и силовой электронике.