IXYS VVZ11012IO7

Описание

IXYS VVZ11012IO7 – это высоковольтный MOSFET-транзистор N-типа, разработанный для применения в мощных импульсных источниках питания, инверторах, DC-DC преобразователях и других высоковольтных системах. Отличается высокой скоростью переключения, низким сопротивлением в открытом состоянии (RDS(on)) и высокой устойчивостью к перегрузкам.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |-------------------------|----------| | Тип транзистора | N-канальный MOSFET | | Макс. напряжение сток-исток (VDS) | 1100 В | | Макс. ток стока (ID) | 12 А (при 25°C) | | Сопротивление сток-исток (RDS(on)) | 1.2 Ом (при VGS = 10 В) | | Пороговое напряжение затвора (VGS(th)) | 3–5 В | | Макс. мощность рассеивания (PD) | 125 Вт | | Корпус | TO-247 | | Температура хранения/работы | -55°C до +150°C |

Парт-номера и аналоги

Прямые аналоги (замены):

• IXYS VVZ11012IO7 (оригинал)
• IXFH12N110 (аналог от IXYS)
• STW12N110 (STMicroelectronics)
• IRFPG50 (International Rectifier, менее мощный аналог)

Совместимые модели (похожие характеристики):

• IXYS VVZ12012IO7 (1200 В, 12 А)
• IXYS VVZ11010IO7 (1100 В, 10 А)
• Infineon IPP60R110C6 (600 В, но схожие параметры RDS(on))

Применение

• Высоковольтные импульсные источники питания
• Инверторы и DC-DC преобразователи
• Управление электродвигателями
• Системы плазменной резки

Если требуется более точный подбор аналога, рекомендуется проверять datasheet на соответствие параметров в конкретной схеме.