IXYS VUO60-16N03

Описание

IXYS VUO60-16N03 — это N-канальный MOSFET-транзистор с вертикальной структурой, предназначенный для высоковольтных и высокочастотных приложений. Используется в импульсных источниках питания, инверторах, DC-DC преобразователях и других силовых электронных устройствах. Отличается низким сопротивлением в открытом состоянии (R_DS(on)) и высокой скоростью переключения.

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Тип транзистора | N-канальный MOSFET |
| Максимальное напряжение сток-исток (V_DSS) | 300 В |
| Максимальный ток стока (I_D) | 60 А |
| Пиковый импульсный ток (I_DM) | 240 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (R_DS(on)) | 0.03 Ом (при V_GS = 10 В) |
| Напряжение отсечки (V_GS(th)) | 2–4 В |
| Максимальное напряжение затвор-исток (V_GSS) | ±20 В |
| Мощность рассеивания (P_D) | 200 Вт |
| Корпус | TO-247 (3 вывода) |
| Температурный диапазон | -55°C ... +150°C |

Парт-номера и аналоги

Оригинальные парт-номера:

• VUO60-16N03 (IXYS)

Совместимые аналоги:

• IRFP460 (International Rectifier)
• STW45NM50 (STMicroelectronics)
• FDPF33N25 (Fairchild/ON Semiconductor)
• IXFH60N30 (IXYS)
• APT30M70B2 (Microsemi)

Применение

• Импульсные блоки питания (SMPS)
• DC-DC преобразователи
• Мостовые схемы (H-мост)
• Инверторы и моторные драйверы

Корпус TO-247 обеспечивает хорошее теплоотведение, что важно в мощных приложениях.

Если нужны уточнения по параметрам или дополнительные аналоги — сообщите!