IXYS VUO5512NO7

Описание и технические характеристики IXYS VUO5512NO7

Описание:
IXYS VUO5512NO7 – это силовой MOSFET-модуль в корпусе VUO-52, предназначенный для высоковольтных и высокотоковых приложений. Основные области применения:

• Импульсные источники питания
• Инверторы и преобразователи
• Промышленные системы управления
• Электроприводы и системы управления двигателями

Ключевые особенности:

• Высокое напряжение сток-исток (1200 В)
• Большой ток стока (55 А) при оптимальном охлаждении
• Низкое сопротивление в открытом состоянии (RDS(on) = 0,12 Ом)
• Быстрое переключение благодаря технологии MOSFET
• Изолированный корпус для удобного монтажа на радиатор

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|-----------------------------|---------------------------|
| Напряжение сток-исток (VDS) | 1200 В |
| Ток стока (ID) | 55 А (при 25°C) |
| Мощность (PD) | 300 Вт |
| Сопротивление RDS(on) | 0,12 Ом (при VGS = 15 В) |
| Напряжение затвор-исток (VGS)| ±20 В |
| Заряд затвора (Qg) | 180 нКл |
| Корпус | VUO-52 (изолированный) |
| Рабочая температура | -55°C до +150°C |

Парт-номера и совместимые модели

Прямые аналоги (cross-reference):

• IXYS VUO5512N07 (альтернативное написание)
• IXYS VUO55-12NO7
• IXYS MCC55-12IO7 (близкий по характеристикам)

Совместимые/похожие модели (аналогичные параметры):

• IXYS VUO110-12NO7 (1200 В, 110 А)
• IXYS VUO82-12NO7 (1200 В, 82 А)
• Infineon FF55R12RT4 (1200 В, 55 А, TO-247)
• STMicroelectronics STW55NM60N (600 В, 55 А, TO-247)

Если требуется замена, важно учитывать:

• Напряжение и ток
• Корпус и монтажные параметры
• Тепловые характеристики

Примечание:
Для точного подбора аналога рекомендуется проверять datasheet и консультироваться с производителем, особенно в высоконагруженных схемах.