IXYS VUO50-14N03

тел. +7(499)347-04-82
Описание IXYS VUO50-14N03
Описание
IXYS VUO50-14N03 – это N-канальный MOSFET-транзистор в корпусе TO-263 (D²PAK), разработанный для мощных приложений с высоким напряжением и током. Компонент обладает низким сопротивлением в открытом состоянии (RDS(on)) и высокой переключающей способностью, что делает его подходящим для:
- Импульсных источников питания (SMPS),
- DC-DC преобразователей,
- Управления двигателями,
- Инверторов и других силовых систем.
Технические характеристики
| Параметр | Значение |
|-------------------------|----------|
| Тип транзистора | N-канальный MOSFET |
| Корпус | TO-263 (D²PAK) |
| Макс. напряжение сток-исток (VDS) | 30 В |
| Макс. ток стока (ID) при 25°C | 50 А |
| Макс. импульсный ток (IDM) | 200 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (RDS(on) | 14 мОм (при VGS = 10 В) |
| Пороговое напряжение затвора (VGS(th)) | 2–4 В |
| Рассеиваемая мощность (PD) | 110 Вт |
| Температура хранения/работы | -55°C … +175°C |
| Заряд затвора (Qg) | 40 нКл (тип.) |
Парт-номера и аналоги
Прямые аналоги:
- IXYS VUO50-14N03 (оригинал)
- IXFH50N30P (аналог по характеристикам)
- IRF3205 (частичная замена, но с меньшим током)
- FDP8870 (Fairchild, 30 В, 50 А)
Совместимые модели (с проверкой распиновки!):
- AOD508 (Alpha & Omega, 30 В, 50 А)
- IRLB3034PbF (International Rectifier, 40 В, 195 А) – для более мощных систем
- STP55NF06L (STMicroelectronics, 60 В, 55 А)
Примечания:
- При замене на аналог необходимо учитывать VDS, ID, RDS(on) и корпус.
- Для высокочастотных применений критичен параметр Qg (заряд затвора).
- Рекомендуется проверять разводку платы, так как у аналогов может отличаться расположение выводов.
Если вам нужен точный аналог для конкретного применения, уточните параметры нагрузки!