IXYS VUO50-12N03

Описание

IXYS VUO50-12N03 – это N-канальный MOSFET транзистор в корпусе TO-263 (D²PAK), разработанный для высокоэффективных силовых приложений. Он обладает низким сопротивлением в открытом состоянии (R_DS(on)) и высокой скоростью переключения, что делает его подходящим для импульсных источников питания, DC-DC преобразователей, двигателей и других силовых систем.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |------------------------------|-----------------------------------| | Тип транзистора | N-канальный MOSFET | | Корпус | TO-263 (D²PAK) | | Напряжение сток-исток (V_DSS) | 30 В | | Ток стока (I_D) при 25°C | 50 А (непрерывный) | | Ток стока (I_D) при 100°C | 30 А (непрерывный) | | Импульсный ток (I_DM) | 200 А | | Сопротивление R_DS(on) | 5.5 мОм (при V_GS = 10 В) | | Пороговое напряжение (V_GS(th)) | 1.0 – 2.5 В | | Макс. мощность (P_D) | 150 Вт | | Температура перехода (T_J) | -55°C до +175°C | | Заряд затвора (Q_g) | 60 нКл (тип.) | | Время включения (t_d(on)) | 15 нс (тип.) | | Время выключения (t_d(off)) | 50 нс (тип.) |

Парт-номера и аналоги

Прямые аналоги (полные замены):

• IXYS VUO50-12N03 (оригинал)
• IXYS VUO52-12N03 (модифицированная версия)
• IXYS VUO48-12N03 (аналог с близкими параметрами)

Совместимые модели (схожие характеристики):

• Infineon IPP50N04S4-23 (40V, 50A, R_DS(on) = 4.5 мОм)
• Vishay SUP50N03-07 (30V, 50A, R_DS(on) = 7 мОм)
• IRF3205 (55V, 110A, но менее эффективен при низких напряжениях)
• STP55NF06 (60V, 55A, R_DS(on) = 9 мОм)

Применение

• Импульсные источники питания (SMPS)
• DC-DC преобразователи
• Управление двигателями (H-мосты)
• Инверторы и контроллеры заряда

Если требуется более высокая эффективность, можно рассмотреть MOSFET с меньшим R_DS(on), но при этом нужно учитывать совместимость по напряжению и току.