IXYS VUO3416NO1

Описание и технические характеристики IXYS VUO3416NO1

Описание:
IXYS VUO3416NO1 – это высоковольтный N-канальный MOSFET-транзистор с оптимизированными характеристиками для быстрого переключения в импульсных источниках питания, инверторах и других силовых электронных устройствах. Применяется в промышленном оборудовании, электроприводах и системах управления энергией.

Основные характеристики:

| Параметр | Значение | |------------------------|-----------------------------| | Тип транзистора | N-канальный MOSFET | | Макс. напряжение (V_DSS) | 1600 В | | Ток стока (I_D) | 3,1 А (при 25°C) | | Импульсный ток (I_DM) | 9,3 А | | Сопротивление сток-исток (R_DS(on)) | 6,5 Ом (при V_GS = 10 В) | | Мощность рассеивания (P_D) | 125 Вт (при 25°C) | | Напряжение затвор-исток (V_GS) | ±30 В | | Температура хранения | от -55°C до +150°C | | Корпус | TO-268 (изолированный) |

Парт-номера и совместимые аналоги

Прямые аналоги:

• IXYS VUO3416N (схожий параметр, возможны незначительные отличия)
• IXYS VUO3406NO1 (похожая модель с близкими характеристиками)

Совместимые/альтернативные модели от других производителей:

• Infineon IPP60R190P6 (600 В, 8 А, но может использоваться в некоторых схемах с адаптацией)
• STMicroelectronics STW20NM50 (500 В, 20 А, требует проверки схемотехники)
• Fairchild (ON Semiconductor) FCP11N60 (600 В, 11 А, альтернатива для менее высоковольтных схем)

Примечание

При замене на аналог необходимо учитывать:

• Рабочее напряжение и ток нагрузки.
• Параметры R_DS(on) и тепловые характеристики.
• Тип корпуса и монтажные особенности.

Для точного подбора аналога рекомендуется обращаться к даташитам или использовать поиск по параметрам на сайтах производителей (IXYS, Infineon, STM и др.).