IXYS VUO190-12N07

Описание

IXYS VUO190-12N07 – это мощный MOSFET-модуль (N-канальный), разработанный для высоковольтных и высокотоковых приложений. Используется в инверторах, импульсных источниках питания, промышленных приводах и других системах с высокими требованиями к надежности и эффективности.

Модуль выполнен в корпусе VUO190, обеспечивающем хороший теплоотвод и электрическую изоляцию. Внутри содержатся два MOSFET-транзистора, что позволяет использовать его в мостовых схемах (например, полумост или полный мост).

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |-------------------------|----------------------------------| | Тип транзистора | N-канальный MOSFET | | Макс. напряжение (V_DSS) | 1200 В | | Непрерывный ток стока (I_D) | 190 А (при 25°C) | | Импульсный ток (I_DM) | до 570 А | | Сопротивление открытого канала (R_DS(on)) | 0.012 Ом (тип.) | | Корпус | VUO190 (изолированный) | | Температура хранения | от -55°C до +150°C | | Рабочая температура | до +150°C (с ограничениями) | | Управляющее напряжение (V_GS) | ±20 В (макс.) | | Время включения (t_d(on)) | 45 нс (тип.) | | Время выключения (t_d(off)) | 110 нс (тип.) | | Заряд затвора (Q_g) | 320 нКл (тип.) |

Парт-номера и совместимые аналоги

Прямые аналоги (по характеристикам и корпусу):

• IXYS VUO190-12NO7 (близкий вариант с аналогичными параметрами)
• IXYS VUO110-12NO7 (аналог с меньшим током, 110 А)
• IXYS VUO160-12NO7 (160 А, 1200 В)

Совместимые модели от других производителей:

• Infineon FF190R12KE3 (N-канальный, 190 А, 1200 В)
• SEMIKRON SKM190GB12T4 (IGBT-модуль, но схожие параметры)
• STMicroelectronics STW88N120K5 (1200 В, 88 А, альтернатива при меньших токах)

Применение

• Инверторы и частотные преобразователи
• Импульсные блоки питания (SMPS)
• Сварочное оборудование
• Системы управления электродвигателями

Если требуется замена, важно учитывать ток, напряжение и тепловые характеристики. Для точной совместимости рекомендуется проверять datasheet.

Нужна дополнительная информация? Готов уточнить!