IXYS VUO16012NO7

IXYS VUO160-12NO7 – это силовой полупроводниковый модуль, содержащий два IGBT-транзистора с обратными диодами в конфигурации "полумост" (Half-Bridge). Модуль предназначен для применения в импульсных источниках питания, инверторах, частотных преобразователях и других силовых электронных устройствах.

Технические характеристики:

• Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 1200 В
• Ток коллектора (I_C при 25°C): 160 А
• Ток коллектора (I_C при 100°C): 100 А
• Ток импульсный (I_CM): 320 А
• Рассеиваемая мощность (P_tot): 625 Вт
• Напряжение насыщения (V_CE(sat)): 2,5 В (тип.)
• Скорость переключения:
  • Время включения (t_on): 55 нс
  • Время выключения (t_off): 310 нс
• Обратный диод:
  • Прямое напряжение (V_F): 1,7 В
  • Время восстановления (t_rr): 120 нс
• Тепловое сопротивление (R_th(j-c)): 0,21 °C/Вт
• Диапазон рабочих температур: -40°C до +150°C
• Корпус: модуль с изолированным основанием (ISO)

Парт-номера и эквиваленты:

• Аналоги от IXYS:
  • VUO160-12NO7 (основной номер)
  • VUO160-12NO7-1 (модификация с улучшенными параметрами)
• Совместимые/похожие модели от других производителей:
  • Infineon: FF160R12KE3
  • Mitsubishi: CM160DY-12S
  • SEMIKRON: SKM160GB12T4
  • Fuji Electric: 2MBI160N-120

Применяемые модели устройств:

Модуль используется в:

• Промышленных инверторах
• Сварочных аппаратах
• Управляемых электроприводах
• Источниках бесперебойного питания (ИБП)
• Системах рекуперации энергии

Если вам нужны дополнительные данные (например, графики характеристик или разводка выводов), уточните запрос.