IXYS VUO105-12NO7

Описание IXYS VUO105-12NO7

IXYS VUO105-12NO7 – это силовой полупроводниковый модуль, содержащий два MOSFET транзистора в конфигурации Half-Bridge. Модуль предназначен для применения в высоковольтных и высокочастотных преобразователях, импульсных источниках питания, инверторах и других силовых электронных системах.

Ключевые особенности:

• Высокое напряжение (до 1200 В) и ток (105 А импульсный)
• Низкое сопротивление в открытом состоянии (R_DS(on))
• Быстрое переключение, подходит для высокочастотных применений
• Встроенные быстрые диоды для защиты от обратного напряжения
• Изолированный корпус с хорошей теплопередачей

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |-------------------------|------------------------------| | Конфигурация | Half-Bridge (2x N-Channel MOSFET) | | Макс. напряжение (V_DSS) | 1200 В | | Непрерывный ток (I_D) | 105 А (импульсный) | | Сопротивление R_DS(on) (при 25°C) | ~0.12 Ом | | Встроенные диоды | Да (Fast Recovery) | | Корпус | Изолированный модуль | | Рабочая температура | -40°C до +150°C |

Парт-номера и аналоги

Прямые аналоги и замены:

• IXYS VUO110-12NO7 (аналог с близкими параметрами)
• IXYS VUO120-12NO7 (более мощная версия)
• IXYS VUO85-12NO7 (менее мощный вариант)

Совместимые модели (по характеристикам):

• Infineon FF100R12KT4 (аналогичный Half-Bridge модуль)
• SEMIKRON SKM100GB12T4
• Mitsubishi CM100DY-12NF

Применение

• Инверторы и частотные преобразователи
• Импульсные источники питания (SMPS)
• Системы управления двигателями
• Сварочное оборудование
• Возобновляемая энергетика (солнечные инверторы)

Если вам нужна более точная информация по заменам или схемам применения, уточните условия эксплуатации.