IXYS VUB6012NOXT

Описание и технические характеристики IXYS VUB6012NOXT

Описание:
IXYS VUB6012NOXT — это высоковольтный N-канальный MOSFET-транзистор с изолированным корпусом TO-263 (D²PAK), предназначенный для мощных ключевых приложений. Основные области применения: импульсные источники питания (SMPS), DC-DC преобразователи, инверторы, управление двигателями и другие системы с высоким напряжением и током.

Технические характеристики:

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Тип транзистора | N-канальный MOSFET |
| Корпус | TO-263 (D²PAK) |
| Максимальное напряжение сток-исток (V_DSS) | 600 В |
| Максимальный ток стока (I_D) при 25°C | 12 А |
| Максимальный импульсный ток (I_DM) | 48 А |
| Сопротивление сток-исток в открытом состоянии (R_DS(on)) | 0.65 Ом (при V_GS = 10 В) |
| Пороговое напряжение затвора (V_GS(th)) | 3–5 В |
| Максимальное напряжение затвор-исток (V_GS) | ±30 В |
| Рассеиваемая мощность (P_D) | 125 Вт |
| Рабочая температура | -55°C до +150°C |
| Тип изоляции | Полностью изолированный корпус |

Парт-номера и аналоги:

• IXYS VUB6012 (неизолированная версия)
• IXYS IXFH12N60P (600 В, 12 А, TO-247)
• Infineon IPA60R360P7 (600 В, 12 А, TO-220)
• STMicroelectronics STP12NM60 (600 В, 12 А, TO-220)
• Fairchild (ON Semiconductor) FCP11N60 (600 В, 11 А, TO-220)

Совместимые модели:

• IXYS VUB5012NOXT (500 В, 12 А)
• IXYS VUB6012NOXT (600 В, 12 А)
• IXYS VUB8012NOXT (800 В, 12 А)

Данный MOSFET подходит для замены в схемах, где требуются высокое напряжение и умеренный ток с хорошей теплоотдачей благодаря изолированному корпусу.