IXYS VUB12012NO2

Описание и технические характеристики IXYS VUB12012NO2

Описание:
IXYS VUB12012NO2 – это высоковольтный MOSFET-транзистор с N-каналом, предназначенный для мощных импульсных и силовых приложений. Компонент обладает низким сопротивлением в открытом состоянии (RDS(on)) и высокой скоростью переключения, что делает его подходящим для инверторов, импульсных источников питания, моторных драйверов и других высоковольтных систем.

Технические характеристики:

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Тип транзистора | N-Channel MOSFET |
| Макс. напряжение сток-исток (VDS) | 1200 В |
| Макс. ток стока (ID) | 12 А (при 25°C) |
| Макс. импульсный ток (IDM) | 48 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) | 1.2 Ом (при VGS = 10 В) |
| Поро­говое напряжение затвора (VGS(th)) | 4 В |
| Макс. напряжение затвор-исток (VGS) | ±30 В |
| Мощность рассеивания (PD) | 125 Вт (при 25°C) |
| Температура перехода (Tj) | от -55°C до +150°C |
| Корпус | TO-247 (изолированный) |

Альтернативные и совместимые модели:

Парт-номера (аналоги и альтернативы):

• IXYS VUB12012NO1 (аналог с близкими параметрами)
• IXYS IXFH12N120 (альтернатива от того же производителя)
• Infineon IPW60R120P7 (аналог с улучшенными характеристиками)
• STMicroelectronics STW12N120 (совместимый MOSFET)
• Fairchild (ON Semiconductor) FCH12N120

Совместимые модели в схемах:

• Может заменяться на аналоги с близкими параметрами (VDS ≥ 1200 В, ID ≥ 12 А, RDS(on) ~ 1–1.5 Ом).
• Подходит для замены в драйверах моторов, сварочных инверторах, высоковольтных блоках питания.

Если требуется точная замена, рекомендуется сверяться с даташитом и учитывать условия работы (тепловой режим, частоту переключений и пр.).