IXYS VUB12012NO1

Описание и технические характеристики IXYS VUB12012NO1

Описание:
IXYS VUB12012NO1 — это высоковольтный N-канальный MOSFET-транзистор, предназначенный для коммутации высоких напряжений и токов в импульсных источниках питания, инверторах, корректорах коэффициента мощности (PFC) и других силовых электронных приложениях.

Ключевые особенности:

• Высокое рабочее напряжение (1200 В)
• Низкое сопротивление в открытом состоянии (R_DS(on))
• Быстрое переключение
• Высокая стойкость к лавинным пробоям

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------------------------|-----------------------------|
| Тип транзистора | N-канальный MOSFET |
| Макс. напряжение сток-исток (V_DSS) | 1200 В |
| Макс. ток стока (I_D) | 12 А (при 25°C) |
| Сопротивление сток-исток (R_DS(on)) | ~0.45 Ом (при V_GS=10 В) |
| Пороговое напряжение (V_GS(th)) | 3–5 В |
| Макс. рассеиваемая мощность (P_D) | 200 Вт |
| Корпус | TO-247 (или аналогичный) |
| Температурный диапазон | -55°C…+150°C |

Парт-номера и аналоги

Прямые аналоги от других производителей:

• Infineon: IPW60R045CP
• STMicroelectronics: STW12N120K5
• ON Semiconductor: FCH12N120
• Vishay: IRFP12N50A (с меньшим напряжением, но схожими параметрами)

Совместимые модели (в зависимости от схемы):

• IXYS VUB12010NO1 (1000 В, 12 А)
• IXYS VUB12015NO1 (1200 В, 15 А)
• IXFH12N120P (аналог с близкими характеристиками)

Применение

• Импульсные блоки питания (SMPS)
• Инверторы и преобразователи частоты
• Корректоры коэффициента мощности (PFC)
• Высоковольтные драйверы

Если требуется более точная замена, рекомендуется проверить datasheet и условия работы в конкретной схеме.