IXYS VMO55001F

IXYS VMO55001F – это мощный MOSFET-транзистор, разработанный для высоковольтных и высокочастотных применений, таких как импульсные источники питания, инверторы и промышленные системы управления.

Технические характеристики:

• Тип транзистора: N-Channel MOSFET
• Максимальное напряжение сток-исток (V_DSS): 1000 В
• Максимальный ток стока (I_D): 5,5 А (при 25°C)
• Сопротивление сток-исток в открытом состоянии (R_DS(on)): 6,5 Ом (при V_GS = 10 В)
• Пороговое напряжение затвора (V_GS(th)): 2–4 В
• Максимальная рассеиваемая мощность (P_D): 50 Вт
• Тип корпуса: TO-220 (изолированный)
• Температурный диапазон: -55°C до +150°C

Альтернативные парт-номера и совместимые аналоги:

1. IXYS VMO55001 (неизолированный вариант)
2. IXFH5N100 (аналог от IXYS)
3. IRF840 (аналог с близкими параметрами, но ниже напряжение)
4. STP5NK100ZFP (STMicroelectronics)
5. FQP5N100 (Fairchild/ON Semiconductor)

Применение:

• Импульсные блоки питания (SMPS)
• Инверторы и преобразователи
• Системы управления двигателями
• Высоковольтные коммутационные устройства

Если вам нужна более точная замена, учитывайте рабочие токи, напряжение и тепловые параметры.