IXYS tp05n100m

Описание и технические характеристики IXYS TP05N100M

TP05N100M – это N-канальный MOSFET-транзистор с изолированным затвором (MOSFET) от IXYS, предназначенный для высоковольтных и высокочастотных применений.

Ключевые особенности:

• Высокое напряжение сток-исток (1000 В)
• Низкое сопротивление в открытом состоянии (R_DS(on) = 0.5 Ом)
• Быстрое переключение благодаря низкому заряду затвора
• Корпус TO-220, обеспечивающий хорошее теплоотведение
• Подходит для импульсных источников питания, DC-DC преобразователей и инверторов

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Напряжение сток-исток (V_DSS) | 1000 В |
| Ток стока (I_D) при 25°C | 5 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (R_DS(on)) | 0.5 Ом (при V_GS = 10 В) |
| Напряжение затвор-исток (V_GS) | ±30 В |
| Заряд затвора (Q_g) | ~30 нКл |
| Корпус | TO-220 |
| Рабочая температура | -55°C … +150°C |

Парт-номера (альтернативные обозначения и аналоги)

• IXYS TP05N100M (оригинальный номер)
• IRFPE50 (аналог от International Rectifier, но с другими параметрами)
• STP5NK100Z (аналог от STMicroelectronics, 1000 В, 5 А)
• FQA5N100 (аналог от Fairchild/ON Semiconductor)

Совместимые модели (прямые и близкие аналоги)

1. STP5NK100Z (STMicroelectronics)
2. FQA5N100C (ON Semiconductor)
3. IRFPE50 (Infineon/IR)
4. 2SK2225 (Toshiba)
5. IXFH5N100 (IXYS)

Если требуется замена, важно учитывать не только напряжение и ток, но и параметры R_DS(on), Q_g и корпус.

Если нужна дополнительная информация по аналогам или применению – уточните!