IXYS TIXGH32N60BU1

Описание и технические характеристики IXYS TIXGH32N60BU1

TIXGH32N60BU1 — это N-канальный IGBT-транзистор с ультрабыстрым диодом, разработанный для высокоэффективных силовых применений, таких как инверторы, импульсные источники питания, сварочное оборудование и электроприводы.

Ключевые характеристики:

• Тип транзистора: N-канальный IGBT
• Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 600 В
• Ток коллектора (I_C): 32 А (при 25°C)
• Ток импульсный (I_CM): до 64 А
• Мощность рассеивания (P_D): 200 Вт
• Падение напряжения (V_CE(sat)): 1,85 В (при I_C = 16 А)
• Время включения (t_on): 40 нс
• Время выключения (t_off): 170 нс
• Интегрированный ультрабыстрый диод: Да
• Корпус: TO-247
• Температурный диапазон: -55°C до +150°C

Альтернативные и совместимые модели (парт номера)

Прямые аналоги от IXYS:

• IXGH32N60B (аналог без встроенного диода)
• IXGH32N60C (с улучшенными динамическими характеристиками)
• IXGH32N60A (более ранняя версия)

Аналоги от других производителей:

• IRG4PH40UD (International Rectifier, 600 В, 40 А)
• FGA25N120ANTD (Fairchild/ON Semi, 1200 В, 25 А)
• HGTG20N60B3 (Microsemi, 600 В, 20 А)
• STGW30N60KD (STMicroelectronics, 600 В, 30 А)

Применение:

• Высоковольтные преобразователи
• Сварочные инверторы
• Управление электродвигателями
• Импульсные блоки питания
• Системы резервного питания (UPS)

Примечание:

При замене на аналог необходимо учитывать параметры напряжения, тока и тепловые характеристики. Для точной замены рекомендуется сверяться с даташитами.

Если нужны дополнительные данные по конкретному применению — уточните!