IXYS TA36N30P

Описание и технические характеристики IXYS TA36N30P

Описание:
IXYS TA36N30P — это N-канальный MOSFET-транзистор, предназначенный для высоковольтных и высокочастотных применений. Он обладает низким сопротивлением в открытом состоянии (R_DS(on)) и высокой скоростью переключения, что делает его подходящим для импульсных источников питания, DC-DC преобразователей, инверторов и других силовых электронных устройств.

Технические характеристики:

| Параметр | Значение | |-------------------------|--------------| | Тип транзистора | N-Channel MOSFET | | Максимальное напряжение сток-исток (V_DSS) | 300 В | | Максимальный ток стока (I_D) | 36 А (при 25°C) | | Сопротивление сток-исток (R_DS(on)) | 0.085 Ом (при V_GS = 10 В) | | Напряжение затвор-исток (V_GS) | ±20 В | | Мощность рассеивания (P_D) | 200 Вт | | Температура хранения (T_stg) | от -55°C до +175°C | | Корпус | TO-247 |

Парт-номера и совместимые аналоги:

Прямые аналоги (похожие характеристики):

• IRFP360 (International Rectifier)
• STP36NF30 (STMicroelectronics)
• FDP36N30 (Fairchild/ON Semiconductor)
• IRFPS37N50A (Infineon) – более высокое напряжение (500 В)

Альтернативы с близкими параметрами:

• IXTA36N30P (аналог от IXYS в другом корпусе)
• APT36M30J (Microsemi)
• HUF76630P3 (Renesas)

Совместимые модели в схемах (зависит от применения):

• В DC-DC преобразователях и инверторах могут заменяться на IRFP460, IRFP250 (с учетом различий в параметрах).
• В импульсных блоках питания — аналогом может быть STW36NB30 от STMicroelectronics.

Примечание:

При замене транзистора необходимо учитывать не только электрические характеристики, но и тепловые параметры, а также особенности схемы управления затвором. Для критичных применений рекомендуется проверять работоспособность в конкретной схеме.

Если вам нужны спецификации для конкретного аналога, уточните область применения.