IXYS N282CH20

IXYS N282CH20 – это высоковольтный N-канальный MOSFET-транзистор, разработанный для применения в силовой электронике, импульсных источниках питания, инверторах и других устройствах, требующих высокого напряжения и тока.

Основные технические характеристики

| Параметр | Значение | |-------------------------|-----------------------------| | Тип транзистора | N-Channel MOSFET | | Макс. напряжение сток-исток (V_DSS) | 200 В | | Макс. ток стока (I_D) | 28 А (при 25°C) | | Макс. импульсный ток (I_DM) | 112 А | | Сопротивление сток-исток (R_DS(on)) | 0.02 Ом (при V_GS = 10 В) | | Пороговое напряжение затвора (V_GS(th)) | 2–4 В | | Макс. напряжение затвор-исток (V_GS) | ±20 В | | Рассеиваемая мощность (P_D) | 150 Вт (при 25°C) | | Корпус | TO-247 (или аналогичный) | | Температурный диапазон | -55°C … +150°C |

Парт-номера и аналоги

Прямые аналоги (полные замены):

• IXYS N282CH20 (оригинал)
• IXFH28N20 (аналог от IXYS)
• IRFP260N (International Rectifier, близкий по параметрам)
• FDPF33N25 (Fairchild, с повышенным напряжением)

Частично совместимые модели (требуется проверка схемы):

• IRFP250N (200 В, 30 А, R_DS(on) = 0.075 Ом)
• STP80NF20 (STMicroelectronics, 200 В, 80 А)
• IPP65R190CFD (Infineon, 650 В, но близкий по току)

Применение

• Импульсные источники питания (SMPS)
• Инверторы и преобразователи напряжения
• Управление двигателями (H-мосты)
• Высоковольтные ключевые схемы

Особенности

• Низкое сопротивление открытого канала (R_DS(on))
• Быстрое переключение
• Высокая надежность и температурная стабильность

Для точного подбора аналога рекомендуется проверять datasheet и условия работы в конкретной схеме.