IXYS N1983CH25

Описание и технические характеристики IXYS N1983CH25

IXYS N1983CH25 – это высоковольтный IGBT-транзистор (Insulated Gate Bipolar Transistor) с быстрым восстановительным диодом в одном корпусе. Применяется в мощных импульсных преобразователях, инверторах, сварочном оборудовании, системах управления электродвигателями и других силовых электронных устройствах.

Основные технические характеристики:

• Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 2500 В
• Ток коллектора (I_C): 8 А (при 25°C)
• Ток импульсный (I_CM): 16 А
• Рассеиваемая мощность (P_tot): 200 Вт
• Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (V_CE(sat)): 3.2 В (при I_C = 8 А)
• Время включения (t_on): 120 нс
• Время выключения (t_off): 800 нс
• Диод обратного восстановления (V_RRM): 2500 В
• Температура перехода (T_j): -40°C до +150°C
• Корпус: TO-247 (изолированный)

Парт-номера и аналоги:

Прямые аналоги (замена без изменений схемы):

• IXYS N1983CH25 (оригинал)
• IXGN1983CH250 (альтернативное обозначение)

Совместимые модели (возможна замена с проверкой параметров):

• IXGH25N250 (2500 В, 25 А)
• IXYS IXGH30N250 (2500 В, 30 А)
• Infineon IHW25N250R3 (2500 В, 25 А)
• STMicroelectronics STGW30NC250KD (2500 В, 30 А)

Применение:

• Высоковольтные преобразователи
• Индукционные нагреватели
• Сварочные инверторы
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Электроприводы

Если вам нужны дополнительные данные (графики, даташит), уточните!