IXYS N170PH02

Описание и технические характеристики IXYS N170PH02

IXYS N170PH02 – это мощный N-канальный MOSFET транзистор, разработанный для высоковольтных и высокочастотных применений. Он используется в импульсных источниках питания, инверторах, DC-DC преобразователях и других силовых электронных устройствах.

Основные технические характеристики:

• Тип транзистора: N-канальный MOSFET
• Максимальное напряжение сток-исток (V_DSS): 1700 В
• Максимальный ток стока (I_D): 2,5 А
• Сопротивление сток-исток в открытом состоянии (R_DS(on)): 12 Ом (при V_GS = 15 В)
• Максимальная рассеиваемая мощность (P_D): 100 Вт (при T_C = 25°C)
• Тип корпуса: TO-247 (изолированный или неизолированный вариант)
• Температурный диапазон: -55°C до +150°C
• Заряд затвора (Q_g): 25 нКл (типовое значение)
• Пороговое напряжение затвора (V_GS(th)): 3,5–5 В

Парт-номера (альтернативы и аналоги)

Прямые аналоги и замены:

• IXYS N170PH01 (аналог с близкими параметрами)
• IXFH2N170 (альтернатива от IXYS)
• STW20NM170 (от STMicroelectronics)
• APT1702JN (от Microsemi/APT)

Совместимые модели (похожие MOSFET)

• IRFP460 (International Rectifier, 500 В, 20 А) – для менее высоковольтных схем
• HGTG20N170D (Microsemi, 1700 В, 20 А) – более мощный аналог
• FQH44N170 (Fairchild, 1700 В, 44 А) – для более высоких токов

Применение

• Импульсные блоки питания
• Индукционные нагреватели
• Высоковольтные преобразователи
• Источники бесперебойного питания (ИБП)

Если вам нужны специфические параметры (например, графики зависимости тока от напряжения), обратитесь к официальному даташиту от IXYS (Littelfuse).