IXYS MEE25012DA

IXYS MEE25012DA – это мощный N-канальный MOSFET транзистор, разработанный для высоковольтных и высокочастотных применений, таких как импульсные источники питания, DC-DC преобразователи и инверторы.

Технические характеристики:

• Тип транзистора: N-Channel MOSFET
• Максимальное напряжение сток-исток (V_DSS): 1200 В
• Максимальный ток стока (I_D): 25 А (при 25°C)
• Сопротивление в открытом состоянии (R_DS(on)): 0,12 Ом (при V_GS = 15 В)
• Пороговое напряжение затвора (V_GS(th)): 4 В (тип.)
• Максимальное напряжение затвор-исток (V_GS): ±30 В
• Рассеиваемая мощность (P_D): 300 Вт (при 25°C)
• Корпус: TO-247 (3 вывода)
• Температурный диапазон: -55°C до +150°C

Парт-номера и аналоги:

Прямые аналоги и совместимые модели:

• IXYS MEE25012DB (модификация с улучшенными параметрами)
• IXYS IXFH25N120 (близкий аналог)
• Infineon IPW60R045CP (альтернатива с похожими характеристиками)
• STMicroelectronics STW25NM120
• Fairchild (ON Semiconductor) FCH25N120

Применение:

• Импульсные блоки питания
• DC-DC преобразователи
• Инверторы (в т. ч. для солнечных систем)
• Управление двигателями

Этот MOSFET отличается высокой надежностью и эффективностью в высоковольтных схемах. Если требуется более современный аналог, можно рассмотреть модели с меньшим R_DS(on) и улучшенным тепловыделением.