IXYS MDD950-20N1W

тел. +7(499)347-04-82
Описание IXYS MDD950-20N1W
Описание IXYS MDD950-20N1W
IXYS MDD950-20N1W – это высоковольтный N-канальный MOSFET-транзистор, разработанный для применений, требующих высокой мощности и надежности. Он используется в импульсных источниках питания, инверторах, промышленных и силовых электронных системах.
Ключевые особенности:
- Высокое напряжение сток-исток (950 В)
- Низкое сопротивление в открытом состоянии (RDS(on))
- Быстрое переключение и низкие динамические потери
- Высокая устойчивость к перегрузкам
Технические характеристики
| Параметр | Значение |
|------------------------|----------|
| Тип транзистора | N-канальный MOSFET |
| Макс. напряжение сток-исток (VDSS) | 950 В |
| Макс. ток стока (ID) при 25°C | 20 А |
| Сопротивление сток-исток (RDS(on)) | <0.45 Ом (при VGS = 10 В) |
| Потребляемая мощность (PD) | 150 Вт |
| Напряжение затвор-исток (VGS) | ±30 В |
| Заряд затвора (Qg) | ~60 нКл |
| Корпус | TO-247 (или аналогичный) |
| Температурный диапазон | -55°C до +150°C |
Парт-номера и совместимые аналоги
Прямые аналоги (замены):
- IXYS MDD950-20N1 (близкий аналог с аналогичными характеристиками)
- IXFH20N100 (1000 В, 20 А)
- IRFP460 (500 В, 20 А, менее мощный, но в некоторых схемах взаимозаменяем)
- STW20NM50 (500 В, 20 А, аналог с меньшим напряжением)
- FQA20N95 (950 В, 20 А, от Fairchild/ON Semi)
Совместимые модели (схожие параметры):
- IXYS IXFH20N95 (950 В, 20 А)
- Infineon IPW90R120C3 (900 В, 18 А, низкое RDS(on))
- Toshiba TK20A50U (500 В, 20 А, альтернатива для менее требовательных схем)
Применение
- Импульсные источники питания (SMPS)
- Инверторы и преобразователи частоты
- Управление электродвигателями
- Системы резервного питания (UPS)
Если требуется точная замена, рекомендуется проверять datasheet на соответствие параметрам схемы.