IXYS MDD5612N1B

Описание IXYS MDD5612N1B

IXYS MDD5612N1B – это N-канальный MOSFET-транзистор в корпусе TO-252 (DPAK), предназначенный для высокоэффективных силовых приложений. Применяется в импульсных источниках питания, DC-DC преобразователях, управлении двигателями и других системах с высокой частотой переключения.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |-------------------------|-----------------------------| | Тип транзистора | N-канальный MOSFET | | Макс. напряжение | 100 В | | Макс. ток (при 25°C) | 60 А (импульсный до 240 А) | | Сопротивление RDS(on) | 12 мОм (при VGS = 10 В) | | Пороговое напряжение VGS(th) | 2–4 В | | Рассеиваемая мощность | 50 Вт | | Корпус | TO-252 (DPAK) | | Темп. диапазон | -55°C до +175°C |

Парт-номера и аналоги

Прямые аналоги от IXYS (Infineon):

• IXYS MDD5612N1-G
• IXFH60N10P (близкий по параметрам)

Совместимые/альтернативные модели:

• IRF3205 (менее мощный, но популярный аналог)
• STP60NF10 (STMicroelectronics)
• FDP61N10 (Fairchild/ON Semiconductor)

Примечания

• Перед заменой проверяйте распиновку и параметры (особенно VGS и RDS(on)).
• Для высокочастотных приложений учитывайте заряд затвора (Qg).

Если нужны доп. параметры (Ciss, Coss, Qg и пр.), уточняйте в даташите производителя (Infineon).