IXYS MDD5608N1B

Описание и технические характеристики IXYS MDD5608N1B

Описание:
IXYS MDD5608N1B – это мощный N-канальный MOSFET-транзистор, выполненный в корпусе TO-252 (DPAK). Он предназначен для применения в импульсных источниках питания, DC-DC преобразователях, управлении двигателями и других высокоэффективных силовых приложениях. Транзистор обладает низким сопротивлением открытого канала (R_DS(on)) и высокой скоростью переключения.

Технические характеристики:

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Тип транзистора | N-Channel MOSFET |
| Максимальное напряжение сток-исток (V_DSS) | 60 В |
| Максимальный ток стока (I_D) | 50 А |
| Сопротивление открытого канала (R_DS(on)) | 8 мОм (при V_GS = 10 В) |
| Пороговое напряжение затвора (V_GS(th)) | 2–4 В |
| Максимальная мощность рассеивания (P_D) | 75 Вт |
| Корпус | TO-252 (DPAK) |
| Диапазон рабочей температуры | -55°C до +175°C |
| Заряд затвора (Q_g) | 60 нКл (тип.) |
| Время включения (t_d(on)) | 12 нс (тип.) |
| Время выключения (t_d(off)) | 42 нс (тип.) |

Парт-номера и совместимые модели

Прямые аналоги (полные замены):

• IXYS MDD5608N1 (тот же транзистор, но без дополнительной маркировки "B")
• Infineon IPD50R060P7 (аналог по характеристикам, 60 В, 50 А, R_DS(on) = 6 мОм)
• STMicroelectronics STP50N60M6 (60 В, 50 А, R_DS(on) = 8 мОм)

Частичные аналоги (похожие параметры):

• IRF3205 (55 В, 110 А, R_DS(on) = 8 мОм, но в корпусе TO-220)
• FDPF50N06 (60 В, 50 А, R_DS(on) = 8 мОм, TO-252)
• AON6260 (60 В, 50 А, R_DS(on) = 6 мОм, TO-252)

Заключение

IXYS MDD5608N1B – надежный MOSFET для мощных приложений. Его можно заменить на аналоги от Infineon, STMicroelectronics и других производителей. При выборе аналога важно учитывать не только напряжение и ток, но и параметры R_DS(on), заряд затвора и корпус.

Если вам нужна помощь в выборе альтернативы, уточните требования по схеме!