IXYS MDD2618N1B

Описание и технические характеристики IXYS MDD2618N1B

Описание:
IXYS MDD2618N1B – это мощный N-канальный MOSFET-транзистор, предназначенный для высоковольтных и высокочастотных приложений. Он обладает низким сопротивлением в открытом состоянии (R_DS(on)) и высокой скоростью переключения, что делает его подходящим для импульсных источников питания, DC-DC преобразователей, драйверов двигателей и других силовых электронных устройств.

Основные технические характеристики:

• Тип транзистора: N-канальный MOSFET
• Максимальное напряжение сток-исток (V_DS): 600 В
• Максимальный ток стока (I_D): 18 А (при 25°C)
• Сопротивление сток-исток в открытом состоянии (R_DS(on)): 0,26 Ом (при V_GS = 10 В, I_D = 9 А)
• Пороговое напряжение затвора (V_GS(th)): 4 В (тип.)
• Максимальное напряжение затвор-исток (V_GS): ±20 В
• Рассеиваемая мощность (P_D): 125 Вт
• Тип корпуса: TO-247
• Температурный диапазон: от -55°C до +150°C

Парт-номера и аналоги:

• IXYS (Littelfuse): MDD2618N1B
• Аналоги (совместимые модели):
  • Infineon IPA60R190P7
  • STMicroelectronics STP18NK50Z
  • Vishay IRFP460
  • Fairchild (ON Semiconductor) FQP18N60

Примечание:
При замене на аналог необходимо учитывать различия в параметрах (R_DS(on), V_GS(th), C_iss и др.), так как они могут повлиять на работу схемы.

Если вам нужны более точные данные, рекомендуется проверить актуальный даташит на официальном сайте производителя (Littelfuse/IXYS).