IXYS MDD25518N1

IXYS MDD25518N1 – это мощный N-канальный MOSFET-транзистор, предназначенный для высоковольтных и высокочастотных приложений, таких как импульсные источники питания, DC-DC преобразователи и инверторы.

Технические характеристики:

• Тип транзистора: N-канальный MOSFET
• Максимальное напряжение сток-исток (V_DSS): 500 В
• Ток стока (I_D): 25 А
• Сопротивление в открытом состоянии (R_DS(on)): 0.18 Ом (при V_GS = 10 В)
• Пороговое напряжение затвора (V_GS(th)): 3–5 В
• Максимальная рассеиваемая мощность (P_D): 300 Вт
• Корпус: TO-247
• Тип затвора: Стандартный (не логический уровень)
• Температурный диапазон: -55°C до +150°C

Парт-номера (аналоги и альтернативы):

• IXYS: MDD25518N1 (оригинал)
• Infineon: IPP50R500CE
• STMicroelectronics: STW25NM50
• Vishay/Siliconix: IRFP450
• Fairchild/ON Semiconductor: FQA28N50

Совместимые модели (аналогичные по параметрам):

• IXYS MDD25518N2 (модификация с улучшенными характеристиками)
• IXYS IXFH25N50P (близкий по параметрам)
• IRFP460 (International Rectifier)
• STP25NM50FD (STMicroelectronics)
• FDPF33N50 (Fairchild/ON Semi)

Применение:

• Импульсные источники питания (SMPS)
• DC-DC преобразователи
• Инверторы и H-мосты
• Управление двигателями
• Высоковольтные коммутационные схемы

Если вам нужны более точные аналоги или схемы подключения, уточните условия эксплуатации (частота, температура, токи).