IXYS MDD255-08N1

Описание:
IXYS MDD255-08N1 – это мощный N-канальный MOSFET-транзистор, разработанный для высоковольтных и высокочастотных применений. Он используется в импульсных источниках питания, инверторах, DC-DC преобразователях и других силовых электронных устройствах. Ключевые особенности включают низкое сопротивление в открытом состоянии (R_DS(on)) и высокую скорость переключения.

Технические характеристики:

| Параметр | Значение | |-------------------------|----------------------------------| | Тип транзистора | N-канальный MOSFET | | Максимальное напряжение (V_DSS) | 80 В | | Максимальный ток (I_D) | 25 А (при 25°C) | | Сопротивление (R_DS(on)) | 0.08 Ом (при V_GS = 10 В) | | Напряжение затвора (V_GS) | ±20 В | | Рассеиваемая мощность (P_D) | 40 Вт (при 25°C) | | Корпус | TO-252 (DPAK) | | Температурный диапазон | -55°C до +150°C |

Парт-номера (альтернативы и аналоги):

• IXYS: MDD255-08N1 (оригинал)
• Infineon: IPD90N08S4-04
• Vishay: SUP75N08-08
• ON Semiconductor: NTD80N08-35G
• STMicroelectronics: STP80NF08

Совместимые модели (аналогичные MOSFET):

1. IRF3205 (55 В, 110 А, R_DS(on) = 8 мОм) – менее мощный, но популярный аналог.
2. IRF1404 (40 В, 160 А) – для более высоких токов.
3. AUIRFS8409-7P (80 В, 100 А) – альтернатива для высоких нагрузок.

Примечание:
При замене проверяйте характеристики, особенно V_DSS, I_D и R_DS(on), чтобы избежать перегрева или повреждения схемы. Для точного подбора используйте datasheet производителя.