IXYS MDD25018N1

Описание и технические характеристики IXYS MDD25018N1

Описание:
IXYS MDD25018N1 – это мощный N-канальный MOSFET-транзистор в корпусе TO-257 (TO-66), предназначенный для применения в высоковольтных и высокочастотных схемах. Он обладает низким сопротивлением в открытом состоянии (R_DS(on)) и высокой скоростью переключения, что делает его подходящим для импульсных источников питания, инверторов, DC-DC преобразователей и других силовых электронных устройств.

Основные технические характеристики:

| Параметр | Значение | |--------------------------|-------------| | Тип транзистора | N-Channel MOSFET | | Макс. напряжение сток-исток (V_DSS) | 500 В | | Макс. ток стока (I_D) | 25 А | | Макс. импульсный ток (I_DM) | 100 А | | Сопротивление сток-исток (R_DS(on)) | 0.18 Ом (при V_GS = 10 В) | | Потребляемая мощность (P_D) | 125 Вт | | Напряжение затвор-исток (V_GS) | ±20 В | | Пороговое напряжение затвора (V_GS(th)) | 2–4 В | | Время включения (t_d(on)) | 20 нс | | Время выключения (t_d(off)) | 60 нс | | Корпус | TO-257 (TO-66) | | Рабочая температура | -55°C до +150°C |

Парт-номера и аналоги:

Прямые аналоги:

• IXYS MDD25018N1 (оригинал)
• IXFH25N50 (500 В, 25 А, TO-247)
• STP25NM50FD (500 В, 25 А, TO-247)

Совместимые модели (с похожими параметрами):

• IRFP450 (500 В, 14 А, TO-247)
• IXTH25N50 (500 В, 25 А, TO-247)
• FDPF25N50 (500 В, 25 А, TO-220F)
• IXTA25N50 (500 В, 25 А, TO-3P)

Примечание:
При замене на аналог необходимо учитывать корпус, токовые характеристики и тепловые параметры. В некоторых случаях может потребоваться пересчёт схемы из-за различий в R_DS(on) и ёмкостях затвора.

Если нужны дополнительные аналоги или уточнения – уточните условия применения!