IXYS MDD25008N1

Описание и технические характеристики IXYS MDD25008N1

Описание:
IXYS MDD25008N1 — это N-канальный MOSFET-транзистор с двойным диодом, предназначенный для высоковольтных и высокочастотных приложений. Используется в импульсных источниках питания, инверторах, DC-DC преобразователях и других силовых электронных системах.

Ключевые характеристики:

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Тип транзистора | N-Channel MOSFET + Dual Diode |
| Макс. напряжение сток-исток (V_DSS) | 800 В |
| Макс. ток стока (I_D) | 25 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (R_DS(on)) | 0.55 Ом (при V_GS = 10 В) |
| Макс. мощность рассеивания (P_D) | 300 Вт |
| Напряжение затвор-исток (V_GS) | ±30 В |
| Заряд затвора (Q_g) | 60 нКл |
| Время включения (t_d(on)) | 20 нс |
| Время выключения (t_d(off)) | 65 нс |
| Корпус | TO-247 (3 вывода) |
| Рабочая температура | -55°C до +150°C |

Парт-номера и аналоги:

• IXYS: MDD25008N1, MDD25008N1G
• Аналоги:
  • STMicroelectronics: STW25NM80FD, STP25NM80FD
  • Infineon: IPP60R190P6
  • Vishay: IRFP460
  • ON Semiconductor: FQPF33N10

Совместимые модели (зависит от применения):

• В инверторах и ИБП: IXYS IXFN38N100Q, IXFH26N120
• В импульсных источниках питания: IXYS IXTH25N100, IRFP460LC
• В силовых модулях: IXYS VUM25-12NO7

Перед заменой рекомендуется проверить соответствие параметров и схемотехнику применения.