IXYS MDD22014N1

Описание

IXYS MDD22014N1 – это мощный N-канальный MOSFET-транзистор, разработанный для высоковольтных и высокочастотных приложений. Он широко используется в импульсных источниках питания, инверторах, DC-DC преобразователях, а также в системах управления двигателями.

Ключевые особенности:

• Высокое напряжение сток-исток (до 400 В)
• Низкое сопротивление в открытом состоянии (R_DS(on))
• Быстрое переключение благодаря низким емкостям затвора
• Высокая устойчивость к перегрузкам

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|------------------------|----------|
| Тип транзистора | N-канальный MOSFET |
| Макс. напряжение сток-исток (V_DSS) | 400 В |
| Макс. ток стока (I_D) | 20 А |
| Импульсный ток (I_DM) | 80 А |
| Сопротивление сток-исток (R_DS(on)) | 0.14 Ом (при V_GS = 10 В) |
| Напряжение затвор-исток (V_GS) | ±20 В |
| Мощность рассеяния (P_D) | 125 Вт |
| Корпус | TO-247 |

Парт-номера и аналоги

Прямые аналоги (замены):

• IXYS MDD22014N1 (оригинал)
• IXFH20N50 (400 В, 20 А)
• IRFP450 (500 В, 14 А)
• STW20NM50 (500 В, 20 А)
• FQP20N40 (400 В, 20 А)

Совместимые модели (похожие характеристики):

• IXYS IXFN20N100 (1000 В, 20 А)
• IRFB4110 (100 В, 104 А) – для менее высоковольтных приложений
• IXTH20N50 (500 В, 20 А)

Применение

• Импульсные блоки питания (SMPS)
• DC-DC преобразователи
• Инверторы и драйверы двигателей
• Усилители мощности класса D

Если вам нужна более точная замена под конкретную схему, уточните параметры (например, рабочее напряжение и ток).