IXYS MDD200-16N1

Описание

IXYS MDD200-16N1 — это мощный N-канальный MOSFET-транзистор с высоким напряжением сток-исток (до 1600 В) и током стока до 200 А. Предназначен для применения в высоковольтных и сильноточных схемах, таких как:

• Импульсные источники питания (SMPS)
• Инверторы и преобразователи частоты
• Промышленные приводы
• Системы управления мощностью (HVDC, UPS)

Корпус TO-247 обеспечивает хорошее тепловыделение и механическую надежность.

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|---------------------------|----------------------------------|
| Тип транзистора | N-канальный MOSFET |
| Макс. напряжение сток-исток (V_DS) | 1600 В |
| Макс. ток стока (I_D) | 200 А (при 25°C) |
| Сопротивление открытого канала (R_DS(on)) | 0,035 Ом (при V_GS = 15 В) |
| Макс. мощность рассеивания (P_D) | 600 Вт (при 25°C) |
| Пороговое напряжение затвора (V_GS(th)) | 4–6 В |
| Емкость затвора (C_iss) | ~10 нФ |
| Корпус | TO-247 |
| Рабочая температура | -55°C до +150°C |

Парт-номера и совместимые аналоги

Прямые аналоги (полные замены):

• IXYS MDD200-16N1B (модификация с улучшенными параметрами)
• IXYS MDD200-16N1G (версия с низким R_DS(on))

Частично совместимые аналоги (требуется проверка схемы):

• Infineon IXFN200N10 (100 В, 200 А, TO-247)
• STMicroelectronics STW200N10F7 (100 В, 200 А, TO-247)
• Vishay IRFP4568PBF (150 В, 180 А, TO-247AC)

Похожие модели от IXYS (с другими параметрами):

• IXYS MDD250-14N1 (1400 В, 250 А)
• IXYS MDD150-18N1 (1800 В, 150 А)

Применение и особенности

• Высокая надежность благодаря технологии MOSFET от IXYS.
• Низкое R_DS(on) снижает потери мощности.
• Быстрое переключение делает его пригодным для высокочастотных схем.

Если требуется замена, важно учитывать напряжение, ток и тепловые характеристики конкретной схемы.

Нужна дополнительная информация по применению? Уточните сферу использования!