IXYS MDD200-14N1

Описание

IXYS MDD200-14N1 – это мощный N-канальный MOSFET-транзистор с двойным диодом, предназначенный для высоковольтных и высокочастотных применений. Используется в импульсных источниках питания, инверторах, системах управления двигателями и других силовых электронных устройствах.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |----------|----------| | Тип транзистора | N-канальный MOSFET с двойным диодом | | Максимальное напряжение (V_DSS) | 1400 В | | Максимальный ток стока (I_D) | 8 А | | Сопротивление в открытом состоянии (R_DS(on)) | 4.5 Ом (при V_GS = 15 В) | | Мощность рассеивания (P_D) | 200 Вт | | Пороговое напряжение (V_GS(th)) | 4 В | | Корпус | TO-247 (3 вывода) | | Диод обратного восстановления (Q_rr) | Встроенный быстрый диод | | Температурный диапазон | -55°C до +150°C |

Парт-номера и совместимые модели

Прямые аналоги:

• IXYS MDD200-14N2 (аналог с улучшенными характеристиками)
• IXYS MDD100-14N1 (аналог с меньшим током)
• IXYS MDD300-14N1 (аналог с большей мощностью)

Совместимые модели от других производителей:

• Infineon IRFP450 (аналог по напряжению и току)
• STMicroelectronics STW14NK100Z (схожие параметры)
• Fairchild (ON Semiconductor) FCH47N60 (альтернатива)

Применение

• Импульсные блоки питания (SMPS)
• Инверторы и частотные преобразователи
• Системы управления электродвигателями
• Высоковольтные ключевые схемы

Если вам нужны дополнительные параметры или уточнения – укажите, и я помогу!