IXYS MDD20008N1

Описание и технические характеристики IXYS MDD20008N1

MDD20008N1 – это N-канальный MOSFET-транзистор с двойным диодом (Dual Diode), разработанный компанией IXYS (ныне часть Littelfuse). Он предназначен для высоковольтных и высокочастотных применений, таких как импульсные источники питания, DC-DC преобразователи, инверторы и системы управления двигателями.

Основные технические характеристики:

| Параметр | Значение | |----------|----------| | Тип транзистора | N-канальный MOSFET (Dual Diode) | | Максимальное напряжение сток-исток (V_DSS) | 80 В | | Максимальный ток стока (I_D) | 20 А | | Максимальный импульсный ток (I_DM) | 80 А | | Сопротивление сток-исток в открытом состоянии (R_DS(on)) | 0.08 Ом (при V_GS = 10 В) | | Напряжение затвор-исток (V_GS) | ±20 В | | Мощность рассеивания (P_D) | 48 Вт (при T_C = 25°C) | | Встроенные диоды | Да (Dual Diode) | | Корпус | TO-252 (DPAK) | | Температурный диапазон | от -55°C до +150°C |

Парт-номера и аналоги:

Прямые аналоги (схожие характеристики):

• IXYS MDD20008N1G (версия в корпусе TO-263, D²PAK)
• IXYS MDD20010N1 (аналог с V_DSS = 100 В)
• IXYS MDD15008N1 (аналог с V_DSS = 80 В, но I_D = 15 А)

Совместимые модели от других производителей:

• IRF3205 (International Rectifier, 55 В / 110 А, R_DS(on) = 8 мОм)
• FDP8870 (Fairchild/ON Semi, 80 В / 16 А, R_DS(on) = 8 мОм)
• STP80NF55-06 (STMicroelectronics, 55 В / 80 А, R_DS(on) = 6 мОм)

Применение:

• Импульсные блоки питания (SMPS)
• DC-DC преобразователи
• Управление двигателями
• Инверторы и H-мостовые схемы

Модель MDD20008N1 отличается высокой эффективностью и надежностью благодаря низкому сопротивлению в открытом состоянии и встроенным защитным диодам.