IXYS IXTN8N150L

Описание

IXYS IXTN8N150L – это N-канальный MOSFET-транзистор с высоким напряжением (1500 В) и низким сопротивлением в открытом состоянии (R_DS(on)). Он предназначен для применений в силовой электронике, таких как импульсные источники питания, инверторы, корректоры коэффициента мощности (PFC) и другие высоковольтные схемы.

Ключевые особенности:

• Высокое напряжение сток-исток (V_DSS = 1500 В)
• Низкое сопротивление в открытом состоянии (R_DS(on) = 8 Ом)
• Быстрое переключение
• Надежность и устойчивость к перегрузкам

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |-------------------------|---------------------------------------| | Тип транзистора | N-канальный MOSFET | | Макс. напряжение V_DSS | 1500 В | | Макс. ток стока I_D | 0.8 А (при 25°C) | | Сопротивление R_DS(on) | 8 Ом (при V_GS = 10 В) | | Пороговое напряжение V_GS(th) | 4 В (тип.) | | Макс. мощность P_D | 125 Вт (при 25°C) | | Корпус | TO-247 | | Диапазон рабочих температур | -55°C до +150°C |

Парт-номера и совместимые аналоги

Парт-номера IXTN8N150L

• IXTN8N150L (оригинальный номер от IXYS)
• IXTN8N150 (возможное сокращенное обозначение)

Совместимые аналоги (зависит от схемы)

• ST Microelectronics – STW8N150
• Infineon – IXFH8N150
• Toshiba – TK8A50D (менее точный аналог)

Применение

• Импульсные источники питания (SMPS)
• Коррекция коэффициента мощности (PFC)
• Высоковольтные инверторы
• Промышленные и силовые преобразователи

Если требуется точная замена, рекомендуется проверять datasheet и условия работы в конкретной схеме.

Нужны дополнительные данные? Готов уточнить! 🚀