IXYS IXTN21N100

Описание

IXYS IXTN21N100 – это N-канальный MOSFET-транзистор с высоким напряжением (1000 В) и малым сопротивлением в открытом состоянии (RDS(on). Предназначен для мощных импульсных преобразователей, инверторов, источников питания и других высоковольтных приложений. Изготовлен по передовой технологии, обеспечивающей низкие потери и высокую эффективность.

Ключевые характеристики

| Параметр | Значение | |----------|----------| | Тип транзистора | N-Channel MOSFET | | Максимальное напряжение сток-исток (V_DSS) | 1000 В | | Максимальный ток стока (I_D) | 21 А (при 25°C) | | Сопротивление сток-исток (R_DS(on)) | 0.29 Ом (при V_GS = 10 В) | | Предельное напряжение затвор-исток (V_GS) | ±20 В | | Мощность рассеивания (P_D) | 300 Вт | | Корпус | TO-247 | | Рабочая температура | от -55°C до +150°C | | Заряд затвора (Q_g) | 110 нКл | | Время включения/выключения (t_r/t_f) | 35 нс / 90 нс |

Парт-номера (аналоги и совместимые модели)

1. IXYS IXTN22N100 (аналог с близкими характеристиками)
2. Infineon IPA60R099CP (600 В, но может использоваться в некоторых схемах)
3. STMicroelectronics STW21N100
4. Fairchild (ON Semiconductor) FCH21N100
5. IR (Infineon) IRFP22N50A (500 В, но в некоторых случаях заменяем)

Применение

• Высоковольтные импульсные блоки питания
• Инверторы и преобразователи частоты
• Управление мощными двигателями
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Сварочное оборудование

Примечание

При замене на аналоги важно учитывать не только напряжение и ток, но и динамические параметры (заряд затвора, скорость переключения). В некоторых схемах могут потребоваться дополнительные доработки.

Если вам нужна замена в конкретном устройстве, уточните схему и условия работы для более точного подбора аналога.