IXYS IXTH30N60P

IXYS IXTH30N60P – это N-канальный MOSFET-транзистор с напряжением 600 В и током стока до 30 А, предназначенный для высоковольтных и высокочастотных применений.

Основные технические характеристики:

• Тип транзистора: N-канальный MOSFET
• Напряжение сток-исток (V_DSS): 600 В
• Ток стока (I_D) при 25°C: 30 А
• Ток стока (I_D) при 100°C: 18 А
• Сопротивление сток-исток в открытом состоянии (R_DS(on)): 0,19 Ом (при V_GS = 10 В)
• Пороговое напряжение затвора (V_GS(th)): 4 В
• Максимальное напряжение затвор-исток (V_GS): ±20 В
• Мощность рассеивания (P_D): 300 Вт
• Тип корпуса: TO-247
• Температурный диапазон: -55°C до +150°C

Применение:

• Импульсные источники питания (SMPS)
• Инверторы и преобразователи частоты
• Управление электродвигателями
• Высоковольтные системы

Парт-номера и совместимые аналоги:

Прямые аналоги (похожие параметры):

• IXTH30N60P2 (аналогичный, но с улучшенными характеристиками)
• IXTH30N60P3 (версия с оптимизированными потерями)
• IXTH32N60P (32 А, 600 В, немного выше ток)

Аналоги от других производителей:

• Infineon IPP60R190P6 (600 В, 30 А, R_DS(on) = 0,19 Ом)
• STMicroelectronics STW30N60M2 (600 В, 30 А, TO-247)
• Fairchild (ON Semiconductor) FCH30N60 (600 В, 30 А, TO-247)

Для точной замены рекомендуется проверять datasheet на соответствие параметров в конкретной схеме.