IXYS IXTH1N250

тел. +7(499)347-04-82
Описание IXYS IXTH1N250
Описание и технические характеристики IXYS IXTH1N250
IXTH1N250 – это мощный высоковольтный N-канальный MOSFET транзистор от компании IXYS (ныне часть Littelfuse). Он предназначен для применения в высоковольтных и высокочастотных схемах, таких как импульсные источники питания, инверторы, промышленные и медицинские системы.
Ключевые особенности:
- Высокое напряжение сток-исток (2500 В)
- Низкое сопротивление в открытом состоянии (RDS(on) = 6 Ом)
- Быстрое переключение
- Высокая устойчивость к перегрузкам
Технические характеристики:
| Параметр | Значение | |-------------------------|-----------------------------| | Тип транзистора | N-канальный MOSFET | | Макс. напряжение VDSS | 2500 В | | Макс. ток стока ID | 1 А (при 25°C) | | Сопротивление RDS(on) | 6 Ом (при ID = 0.5 A, VGS = 10 В) | | Мощность рассеивания PD | 125 Вт (при 25°C) | | Напряжение затвора VGS | ±30 В | | Время включения td(on) | 40 нс (тип.) | | Время выключения td(off) | 160 нс (тип.) | | Корпус | TO-247 (или аналогичный) | | Рабочая температура | от -55°C до +150°C |
Парт-номера и совместимые аналоги
Прямые аналоги от IXYS / Littelfuse:
- IXTH2N250 (аналог с током 2 А)
- IXTH3N250 (аналог с током 3 А)
Совместимые модели от других производителей:
- ST Microelectronics – STW1N250 (доступен в TO-247)
- Infineon – IXTH1N250 (тот же производитель, но может быть под другим кодом)
- Toshiba – 2SKxxxx серия (например, 2SK2837, но требуется проверка характеристик)
Применение
- Высоковольтные импульсные источники питания
- Инверторы и преобразователи напряжения
- Медицинское оборудование (дефибрилляторы, рентгеновские аппараты)
- Системы управления энергопотреблением
Если вам нужны точные аналоги для замены, лучше проверить даташиты конкретных моделей, так как параметры могут отличаться.