IXYS IXTA60N20T

IXYS IXTA60N20T

Описание:
IXTA60N20T – это N-канальный MOSFET-транзистор с малым сопротивлением в открытом состоянии (RDS(on)), предназначенный для высоковольтных и высокочастотных приложений. Применяется в импульсных источниках питания, инверторах, DC-DC преобразователях и других силовых электронных схемах.

Технические характеристики:

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Тип транзистора | N-канальный MOSFET |
| Макс. напряжение сток-исток (VDS) | 200 В |
| Макс. ток стока (ID при 25°C) | 60 А |
| Макс. импульсный ток (IDM) | 240 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) | 0.04 Ом (при VGS = 10 В) |
| Потребляемая мощность (PD) | 300 Вт |
| Напряжение затвор-исток (VGS) | ±20 В |
| Заряд затвора (Qg) | 90 нКл |
| Время включения (tON) | 30 нс |
| Время выключения (tOFF) | 50 нс |
| Корпус | TO-247 |
| Рабочая температура | -55°C … +150°C |

Парт-номера и аналоги:

Прямые аналоги:

• IXTA60N20 (более ранняя версия)
• IXTA60N20P (с улучшенными характеристиками)
• IXTH60N20 (аналог в корпусе TO-264)

Совместимые/похожие модели от других производителей:

• IRFP260N (International Rectifier, 200V, 50A)
• STP60NF20 (STMicroelectronics, 200V, 60A)
• FDP61N20 (Fairchild/ON Semi, 200V, 61A)
• IPP60R190C6 (Infineon, 200V, 60A)

Примечание:

При замене на аналог необходимо учитывать различия в характеристиках, особенно заряд затвора (Qg) и RDS(on), так как это может повлиять на эффективность схемы.

Если нужны более точные данные по конкретному применению, уточните условия работы (частота переключения, температурный режим и т. д.).