IXYS IXSN35N120AU1

Описание

IXYS IXSN35N120AU1 – это N-канальный IGBT-транзистор с ультрабыстрым диодом, предназначенный для высоковольтных и высокочастотных приложений. Компонент обладает низкими потерями при переключении и высокой стойкостью к перегрузкам, что делает его подходящим для:

• импульсных источников питания (SMPS),
• индукционного нагрева,
• сварочного оборудования,
• солнечных инверторов,
• промышленных приводов.

Корпус TO-247 обеспечивает хорошее охлаждение, а технология Ultra-Fast Soft Recovery Diode снижает электромагнитные помехи.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |-----------------------------|------------------------------| | Тип транзистора | N-канальный IGBT | | Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В | | Ток коллектора (I_C) при 25°C | 35 А (непрерывный) | | Ток коллектора (I_C) при 100°C | 25 А | | Импульсный ток (I_CM) | 70 А | | Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 2.1 В (при 35 А) | | Время включения (t_on) | 55 нс | | Время выключения (t_off) | 340 нс | | Встроенный диод | Да (Ultra-Fast Soft Recovery)| | Корпус | TO-247 | | Рабочая температура | -40°C ... +150°C |

Парт-номера и совместимые модели

Аналогичные/совместимые модели от IXYS (Littelfuse):

• IXGN35N120AU1 (аналог в корпусе TO-264)
• IXGH35N120AU1 (аналог в корпусе TO-247AD)
• IXSN30N120AU1 (30 А, 1200 В)
• IXSN40N120AU1 (40 А, 1200 В)

Аналоги от других производителей:

• Infineon: IGW30N120H3, IGW40N120H3
• STMicroelectronics: STGW35N120KD, STGW40N120KD
• Fuji Electric: 2MBI200U4A-120 (модуль на 200 А)

Примечание

При замене на аналог учитывайте:

• Напряжение и ток (V_CES, I_C).
• Параметры встроенного диода (если критично).
• Корпус и тепловые характеристики.

Для точного подбора проверяйте даташиты (например, IXYS IXSN35N120AU1).