IXYS IXSN35N100U1

Описание и технические характеристики IXYS IXSN35N100U1

IXSN35N100U1 — это N-канальный MOSFET-транзистор с высоким напряжением (1000 В) и током стока до 35 А. Применяется в мощных импульсных источниках питания, инверторах, промышленных и силовых электронных системах.

Ключевые характеристики:

• Тип транзистора: N-Channel MOSFET
• Максимальное напряжение сток-исток (V_DSS): 1000 В
• Максимальный ток стока (I_D): 35 А (при 25°C)
• Сопротивление в открытом состоянии (R_DS(on)): 0,18 Ом (при V_GS = 10 В)
• Пороговое напряжение затвора (V_GS(th)): 4–6 В
• Максимальная рассеиваемая мощность (P_D): 300 Вт (при 25°C)
• Корпус: TO-247
• Температурный диапазон: от -55°C до +150°C

Парт-номера и совместимые аналоги

Прямые аналоги (замена без изменений в схеме):

• IXYS IXSN35N100 (более ранняя версия)
• IXYS IXFH35N100 (аналог с похожими параметрами)
• Infineon IPW90R120C3 (аналог с близкими характеристиками)
• STMicroelectronics STW35N100

Частично совместимые модели (требуется проверка схемы):

• IRFP460 (900 В, 20 А, требует проверки по току)
• FDPF33N50 (500 В, 33 А, меньшее напряжение)
• IXYS IXFN38N100 (1000 В, 38 А, корпус TO-264)

Применение

• Высоковольтные импульсные источники питания (SMPS)
• Инверторы и преобразователи частоты
• Электроприводы и промышленная автоматика
• Усилители мощности класса D

Если требуется замена, рекомендуется учитывать рабочие токи и тепловые режимы. Для точного подбора аналога лучше использовать datasheet.