IXYS IXSN35N100

Описание

IXYS IXSN35N100 – это N-канальный MOSFET-транзистор с высоким напряжением (1000 В) и током стока до 35 А. Применяется в мощных импульсных источниках питания, инверторах, промышленных преобразователях и других высоковольтных системах. Отличается низким сопротивлением открытого канала (R_DS(on)) и высокой скоростью переключения.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |-------------------------|-----------------------------| | Тип транзистора | N-канальный MOSFET | | Макс. напряжение сток-исток (V_DSS) | 1000 В | | Макс. ток стока (I_D) | 35 А (при 25°C) | | Макс. импульсный ток (I_DM) | 140 А | | Сопротивление открытого канала (R_DS(on)) | 0,12 Ом (при V_GS = 15 В) | | Напряжение затвор-исток (V_GS) | ±20 В | | Рассеиваемая мощность (P_D) | 300 Вт (с теплоотводом) | | Корпус | TO-247 | | Температура хранения | от -55°C до +150°C |

Парт-номера и аналоги

Прямые аналоги (схожие параметры):

• IXYS IXSN30N100 (30 А, 1000 В)
• IXYS IXSN40N100 (40 А, 1000 В)
• Infineon IPW60R041C6 (600 В, 60 А, но с низким R_DS(on))
• STMicroelectronics STW35N100 (35 А, 1000 В)

Совместимые модели (зависит от схемы):

• IXYS IXFN44N100 (44 А, 1000 В, TO-264)
• Fairchild (ON Semi) FCH35N100 (35 А, 1000 В)
• IRFPG50 (500 В, 18 А, менее мощный)

Применение

• Высоковольтные импульсные блоки питания
• Инверторы и частотные преобразователи
• Управление мощными нагрузками в промышленности

Если нужны детали по конкретному аналогу или схеме замены – уточните условия работы!