IXYS IXGR35N120BD1

тел. +7(499)347-04-82
Описание IXYS IXGR35N120BD1
Описание
IXYS IXGR35N120BD1 – это N-канальный IGBT-транзистор с ультрабыстрым диодом в корпусе TO-247. Предназначен для высоковольтных и высокочастотных приложений, таких как импульсные источники питания, инверторы, системы управления двигателями и промышленные преобразователи.
Ключевые особенности:
- Высокое напряжение коллектор-эмиттер (1200 В)
- Низкое падение напряжения в открытом состоянии (VCE(sat))
- Встроенный ультрабыстрый антипараллельный диод
- Высокая переключаемая мощность
- Устойчивость к коротким замыканиям
Технические характеристики
| Параметр | Значение | |---------------------------|----------------------------------| | Тип транзистора | N-канальный IGBT с диодом | | Напряжение VCES | 1200 В | | Ток коллектора IC (при 25°C) | 35 А (макс.) | | Ток коллектора IC (при 100°C) | 23 А (макс.) | | Импульсный ток ICM | 70 А (макс.) | | Напряжение VCE(sat) | 1.85 В (тип.) при 25 А | | Время включения td(on) | 12 нс (тип.) | | Время выключения td(off) | 60 нс (тип.) | | Встроенный диод | Ультрабыстрый (UltraFast) | | Корпус | TO-247 | | Рабочая температура | -55°C … +150°C | | Тепловое сопротивление RθJC | 0.65 °C/Вт |
Парт-номера и аналоги
Оригинальные парт-номера
- IXGR35N120BD1 (основная модель)
- IXGR35N120BD1-ND (версия для дистрибьюторов)
Совместимые / аналогичные модели
- Infineon: IHW35N120R5, IKW35N120H3
- STMicroelectronics: STGW35HF120WD
- Fuji Electric: 2MBI200XAA120-50
- ON Semiconductor: NGTB35N120FL2WG
Применение
- Инверторы для солнечных электростанций
- Сварочное оборудование
- Управление электродвигателями
- Импульсные блоки питания (SMPS)
- Промышленные преобразователи частоты
Если нужны дополнительные параметры (графики, корпусные чертежи), уточните!