IXYS ixgh25n120

Описание и технические характеристики IXYS IXGH25N120

Описание:
IXGH25N120 – это N-канальный IGBT-транзистор с напряжением коллектор-эмиттер 1200 В и током коллектора 25 А (при 25°C). Применяется в мощных импульсных источниках питания, инверторах, системах управления двигателями и других высоковольтных приложениях.

Технические характеристики:

| Параметр | Значение | |------------------------------|----------| | Напряжение V_CE (коллектор-эмиттер) | 1200 В | | Ток коллектора (I_C) при 25°C | 25 А | | Ток коллектора (I_C) при 100°C | 15 А | | Максимальная импульсная мощность (P_DM) | 300 Вт | | Напряжение насыщения V_CE(sat) | 2,5 В (при I_C = 25 А) | | Время включения (t_on) | 80 нс | | Время выключения (t_off) | 300 нс | | Тепловое сопротивление (R_thJC) | 0,63 °C/Вт | | Корпус | TO-247 | | Диапазон рабочих температур | -55°C … +150°C |

Парт-номера и аналоги:

Прямые аналоги (совместимые модели):

• IRG4PH40UD (International Rectifier)
• FGA25N120ANTD (Fairchild/ON Semiconductor)
• HGTG20N120BND (Microsemi)
• STGW25N120KD (STMicroelectronics)

Похожие по характеристикам (возможна замена с проверкой схемы):

• IXGH32N120 (32 А, 1200 В)
• IXGH40N120 (40 А, 1200 В)
• IRGP4063DPBF (Infineon, 40 А, 600 В)

Применение:

• Высоковольтные инверторы
• Сварочные аппараты
• Управление электродвигателями
• Импульсные блоки питания

Если требуется подобрать замену, важно учитывать не только напряжение и ток, но и параметры управления (например, затворный заряд Q_g).