IXYS IXFN64N60PD2

Описание и технические характеристики IXYS IXFN64N60PD2

IXFN64N60PD2 – это мощный N-канальный MOSFET транзистор от компании IXYS (Littelfuse), предназначенный для высоковольтных и высокочастотных приложений. Основные области применения: импульсные источники питания (SMPS), инверторы, DC-DC преобразователи, промышленные и автомобильные системы управления.

Ключевые характеристики:

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Тип транзистора | N-канальный MOSFET |
| Макс. напряжение сток-исток (V_DSS) | 600 В |
| Макс. ток стока (I_D) | 64 А (при 25°C) |
| Сопротивление сток-исток (R_DS(on)) | 0.062 Ом (при V_GS = 10 В) |
| Макс. мощность рассеяния (P_D) | 520 Вт (при 25°C) |
| Напряжение затвор-исток (V_GS) | ±20 В |
| Заряд затвора (Q_g) | 130 нКл (тип.) |
| Время включения (t_d(on)) | 18 нс |
| Время выключения (t_d(off)) | 60 нс |
| Корпус | TO-264 (IXFN) |
| Диод обратного восстановления | Встроенный (Body Diode) |
| Рабочая температура | -55°C до +150°C |

Аналоги и совместимые модели:

Прямые замены (похожие параметры):

• IXYS IXFN64N60P (аналогичный, но без диода Шоттки)
• Infineon IPP60R190P6 (600 В, 60 А, R_DS(on) = 0.19 Ом)
• STMicroelectronics STW64N60DM2 (600 В, 64 А, R_DS(on) = 0.062 Ом)
• Vishay IRFP4668PbF (600 В, 62 А, R_DS(on) = 0.067 Ом)

Альтернативные модели (с другими корпусами):

• IXYS IXFH64N60P (TO-247)
• IXYS IXTA64N60P (TO-264 с улучшенным охлаждением)
• IXYS IXFN52N60P (52 А, 600 В, более низкий ток)

Парт-номера (Part Numbers):

• IXFN64N60PD2 (полное обозначение)
• IXFN64N60PD2-ND (номер для заказа в некоторых дистрибьюторах)

Примечание:

При замене на другой MOSFET рекомендуется проверять:

• Соответствие V_DSS, I_D, R_DS(on)
• Корпус и монтажные характеристики
• Наличие встроенного диода (если критично для схемы)

Если нужны более точные аналоги, уточните параметры схемы (частота переключения, токи, условия охлаждения).