IXYS ixfn200n10p

Описание и технические характеристики IXYS IXFN200N10P

IXFN200N10P – это N-канальный MOSFET транзистор производства IXYS (ныне Littelfuse), разработанный для высокомощных приложений. Он отличается низким сопротивлением открытого канала (R_DS(on)), высокой скоростью переключения и устойчивостью к перегрузкам. Применяется в импульсных источниках питания, DC-DC преобразователях, инверторах, электроприводах и других силовых системах.

Основные технические характеристики

| Параметр | Значение | |-------------------------|----------| | Тип транзистора | N-канальный MOSFET | | Макс. напряжение сток-исток (V_DSS) | 100 В | | Макс. ток стока (I_D) при 25°C | 200 А | | Макс. ток стока (I_D) при 100°C | 140 А | | Сопротивление открытого канала (R_DS(on)) | 5.5 мОм (при V_GS = 10 В) | | Предельное напряжение затвор-исток (V_GS) | ±20 В | | Пороговое напряжение затвора (V_GS(th)) | 2–4 В | | Макс. рассеиваемая мощность (P_D) | 500 Вт | | Корпус | TO-264 (аналогичен TO-247) | | Тип переключения | Стандартный (не Superjunction) | | Рабочая температура | -55°C до +175°C |

Альтернативные парт-номера и совместимые модели

Прямые аналоги (схожие параметры):

• Infineon IPP200N10N3 G
• Vishay SUP200N10-18
• STMicroelectronics STP200N10F7
• ON Semiconductor NTMFS200N10

Близкие по характеристикам (возможна замена с проверкой параметров):

• IXYS IXFN140N10P (140 А, 100 В)
• IXYS IXFN250N10P (250 А, 100 В)
• IRF (Infineon) IRFP250N (30 А, 200 В, менее мощный)

Применение

• Силовые преобразователи
• Инверторы и драйверы двигателей
• Источники питания (SMPS)
• Сварочное оборудование
• Управление нагрузкой в промышленных системах

Примечание

Перед заменой на аналог рекомендуется проверить соответствие характеристик в даташите, особенно R_DS(on), V_GS(th) и динамические параметры (Q_g, C_iss).

Если нужны дополнительные данные (графики, типовые схемы включения), уточните!