IXYS IXFN200N07

Описание и технические характеристики IXYS IXFN200N07

IXFN200N07 — это N-канальный MOSFET транзистор с низким сопротивлением в открытом состоянии (R_DS(on)), разработанный для мощных импульсных приложений. Он обладает высокой эффективностью, отличной термостабильностью и применяется в инверторах, DC-DC преобразователях, электроприводах и других силовых системах.

Основные технические характеристики

| Параметр | Значение |
|--------------------------------|-----------------------------|
| Тип транзистора | N-канальный MOSFET |
| Макс. напряжение сток-исток (V_DS) | 75 В |
| Макс. ток стока (I_D) | 200 А (при 25°C) |
| Сопротивление (R_DS(on)) | 2.7 мОм (при V_GS=10 V) |
| Предельное напряжение затвора (V_GS) | ±20 В |
| Рассеиваемая мощность (P_D) | 500 Вт (при 25°C) |
| Тепловое сопротивление (R_θJC) | 0.25 °C/Вт |
| Корпус | TO-264 (IXFN) |
| Температура хранения | от -55°C до +175°C |

Альтернативные и совместимые модели

Парт-номера (аналоги от других производителей):

• Infineon IPP200N07N3G
• Vishay SUF200N07-3L
• ON Semiconductor NTMFS5C604NL

Совместимые модели (по характеристикам):

• IXYS IXFN180N07 (180 А, 75 В, 3.0 мОм)
• IXYS IXFN220N07 (220 А, 75 В, 2.5 мОм)
• Infineon IPP240N07N3G (240 А, 75 В, 2.4 мОм)

Применение

• Источники питания (SMPS)
• DC-DC преобразователи
• Электроприводы и сервосистемы
• Инверторы и H-мосты
• Системы управления батареями

Этот транзистор отличается высокой надежностью и подходит для жестких условий эксплуатации, включая высокие токи и импульсные нагрузки.

Если нужна дополнительная информация по заменам или применению, уточните запрос!